[发明专利]光栅制造方法及光栅在审
| 申请号： | 201610059189.0 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107015300A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;郭海侠;冯晓芳 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨文娟,黄健 |
| 地址： | 266100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 制造 方法 | ||
1.一种光栅制造方法，其特征在于，包括：
在基板上涂覆电致抗蚀剂，形成第一层模板；
在所述第一层模板上涂覆光刻胶，形成第二层模板；
对涂覆有双层模板的基板进行光栅曝光和光栅显影，在所述第二层模板上形成至少两条第一缝隙，以使所述第一缝隙底部的第一层模板暴露出来；
对所述第一层模板中暴露出来的部分进行湿法腐蚀形成至少两条第二缝隙，以使所述第二缝隙底部的基板暴露出来；
通过干法刻蚀对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，形成光栅。
2.根据权利要求1所述的光栅制造方法，其特征在于，所述第一层模板的厚度为10-50nm；和/或，
所述第二层模板的厚度为30-100nm。
3.根据权利要求1所述的光栅制造方法，其特征在于，所述对涂覆有双层模板的基板进行光栅曝光和光栅显影，在所述第二层模板上形成至少两条第一缝隙，包括：
控制曝光功率为30-60mW、曝光时长为60-120s和显影时长为17-35s，对所述基板进行光栅曝光和光栅显影，在所述第二层模板上形成至少两条第一缝隙。
4.根据权利要求1所述的光栅制造方法，其特征在于，所述对所述第一层模板中暴露出来的部分进行湿法腐蚀形成至少两条第二缝隙，包括：
控制腐蚀时长为10-30s和腐蚀温度为22±3℃，采用腐蚀液对所述第一层模板中暴露出来的部分进行腐蚀，以形成至少两条第二缝隙。
5.根据权利要求1所述的光栅制造方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，包括：
控制刻蚀功率为80-120W，通入甲烷和氢气对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀；其中，甲烷流量为10-50sccm、氢气流量为50-150sccm和刻蚀时长为60-108s。
6.根据权利要求1、4和5中任一项所述的光栅制造方法，其特征在于，所述通过干法刻蚀对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀之前，还包括：
通过等离子体去浮渣工艺对所述基板中暴露出来的部分进行清洗。
7.根据权利要求6所述的光栅制造方法，其特征在于，所述通过等离子体去浮渣工艺对所述基板中暴露出来的部分进行清洗，包括：
控制微波等离子体发生器的功率为40-60W，通入氧气和氩气对所述基板中暴露出来的部分进行清洗；其中，氧气流量为30-100sccm、氩气流量为10-20sccm和去浮渣时长为6-32s。
8.一种采用权利要求1-7中任一项所述的光栅制造方法制造的光栅。
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