[发明专利]快速热处理腔室有效
申请号: | 201610048304.4 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN105679695B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 柯克·莫里茨;阿伦·缪尔·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 热处理 | ||
1.一种腔室,包含:
腔室主体,所述腔室主体包含热绝缘衬里和流体管道,所述热绝缘衬里设置在所述腔室主体的内表面上,所述流体管道形成在所述腔室主体中以容纳温度控制流体;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体内,所述基板支撑件具有:
多个独立加热区域;以及
多个可独立控制的电阻式加热元件;以及
腔室盖,所述腔室盖设置在所述腔室主体上,所述腔室盖包含:
盖主体,所述盖主体具有圆形开口,所述圆形开口设置成穿过所述盖主体;
反射板,所述反射板定位在所述圆形开口内;以及
多个高温计,所述多个高温计设置成穿过形成在所述反射板中的开口,其中所述多个高温计中的每一个高温计对应于所述多个独立加热区域中的每一个区域。
2.如权利要求1所述的腔室,其中所述多个可独立控制的电阻式加热元件被调整以响应由所述多个高温计测量的温度。
3.如权利要求1所述的腔室,其中所述多个独立加热区域包含第一区域和第二区域,所述第一区域具有圆形形状并且设置在所述基板支撑件中央上,所述第二区域环绕所述第一区域。
4.如权利要求3所述的腔室,其中所述多个独立加热区域进一步包含第三区域、第四区域、第五区域和第六区域,并且其中所述第三区域、所述第四区域、所述第五区域和所述第六区域设置在所述第二区域的径向向外处。
5.如权利要求4所述的腔室,其中所述第三区域、所述第四区域、所述第五区域和所述第六区域每个延伸围绕所述基板支撑件的圆周90度。
6.一种腔室,包含:
腔室主体,所述腔室主体包含铝和设置在所述腔室主体的内表面上的热绝缘衬里;
基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体内,所述基板支撑件具有:
多个独立加热区域;以及
多个可独立控制的电阻式加热元件;以及
腔室盖,所述腔室盖设置在所述腔室主体上,所述腔室盖包含:
盖主体,所述盖主体包含铝,所述盖主体具有开口,所述开口设置成穿过所述盖主体;
反射板,所述反射板定位在所述开口内;以及
多个高温计,所述多个高温计设置成穿过形成在所述反射板中的开口,其中所述多个高温计中的每一个高温计对应于所述多个独立加热区域中的一个区域。
7.如权利要求6所述的腔室,其中所述多个独立加热区域包含第一区域和第二区域,所述第一区域具有圆形形状并且设置在所述基板支撑件中央上,所述第二区域环绕所述第一区域。
8.如权利要求7所述的腔室,其中所述多个独立加热区域进一步包含第三区域、第四区域、第五区域和第六区域,并且其中所述第三区域、所述第四区域、所述第五区域和所述第六区域设置在所述第二区域的径向向外处。
9.如权利要求8所述的腔室,其中所述多个可独立控制的电阻式加热元件被调整以响应由所述多个高温计测量的温度。
10.如权利要求6所述的腔室,进一步包含控制器,所述控制器耦接至每一个区域的电阻式加热元件并且耦接至所述多个高温计,所述控制器适于基于来自所述多个高温计每个的信号控制施加至每一个区域的所述电阻式加热元件的功率量。
11.如权利要求10所述的腔室,其中所述多个独立加热区域包含第一区域和第二区域,所述第一区域具有圆形形状并且设置在所述基板支撑件中央上,所述第二区域环绕所述第一区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610048304.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硅深孔刻蚀方法
- 下一篇:集成电路封装焊盘以及形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造