[发明专利]一种有机发光二极管及有机发光二极管显示面板在审
申请号: | 201610044663.2 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN105514293A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及领域显示领域,特别是涉及一种有机发光二极管及有机 发光二极管显示面板。
背景技术
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)具有自发光 的特性,由OLED制成的显示器具有亮度高、响应快、能耗低、可弯曲 等一列优点,本广泛应用于手机、电脑、PAD、数码摄像机、电视等。
其中,OLED通常包括玻璃基板、叠层设置的阳极金属层、空穴注 入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输 层、电子注入层、阴极金属层。电子和空穴分别从阴极和阳极注入,在 有机发光层形成激子并激发发光层材料发光,激发光通过玻璃基板向外 射出。
其中,现有的阳极发光结构中,阳极的折射率大于玻璃基板的折射 率,玻璃基板的折射率大于空气的折射率。
现有的OLED结构中,由于阳极或阴极的折射率大于玻璃基板的折 射率,使得在有机发光层产生的光向外投射时部分或全部光被全反射 (光从光密媒介传输到光疏媒介的界面时会发生全反射),降低光线的 透射率,进而降低OLED器件出射的光强度。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管及有机发 光二极管显示面板,能够有效降低因全反射效应导致的光损耗,有效提 高OLED的光转换效率,提高出光强度。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种有 机发光二极管(OLED),所述OLED包括玻璃基板、在所述玻璃基板上 叠层设置的第一电极、有机发光层、第二电极,所述第一电极与所述第 二电极分别为阳极和阴极,所述第一电极的折射率大于所述玻璃基板的 折射率,其中,所述OLED还包括介质层,所述介质层设置于所述有机 发光层与所述玻璃基板之间;所述介质层的折射率大于所述玻璃基板的 折射率,且所述介质层的折射率小于所述有机发光层或所述第一电极的 折射率。
其中,当所述有机发光层的折射率大于所述第一电极的折射率时, 所述介质层设置于所述第一电极与所述有机发光层之间;所述介质层的 折射率小于所述有机发光层的折射率,且所述介质层的折射率大于所述 第一电极的折射率。
其中,当所述有机发光层的折射率小于所述第一电极的折射率时, 所述介质层设置于所述玻璃基板与所述第一电极之间;所述介质层的折 射率大于所述玻璃基板的折射率,且所述介质层的折射率小于所述第一 电极的折射率。
其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极。
其中,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
其中,所述介质层的表面包含多个微凸起结构。
其中,所述微凸起结构的径向截面形状相同。
其中,所述微凸起结构的径向截面形状不同。
其中,所述介质层厚度小于100微米。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种 有机发光二极管显示面板,所述显示面板包括多个有机发光二极管 (OLED),其中,所述有机发光二极管为上述任一项所述的有机发光二 极管。
上述方案,通过在有机发光层与第一电极之间增加的介质层,使得 有机发光层/第一电极的折射率>介质层的折射率>玻璃基板的折射率,能 够增大全反射发生的临界角,消弱全反射现象的发生,进而有效降低因 全反射效应导致的光损耗,有效提高OLED的光转换效率,提高出光强 度。
进一步地,在介质层的表面设置多个微凸起结构,能够破坏形成全 反射的条件,能够更有效降低因全反射效应导致的光损耗,有效提高 OLED的光转换效率,提高出光强度。
附图说明
图1是本发明有机发光二极管一实施例的简易剖面结构示意图;
图2是本发明介质层一实施例的结构示意图;
图3是本发明有机发光二极管另一实施例的简易剖面结构示意图。
具体实施方式
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、 接口、技术之类的具体细节,以便透彻理解本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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