[发明专利]一种低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅及其制备方法

权利要求书

1.一种低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将SiO₂:Na₂O＝3.3～3.45的固体硅酸钠加压加温液化后加水分别调制浓度为0.6～0.8M的硅酸钠溶液、浓度为1～1.3M的硅酸钠溶液和浓度为1.8～2.2M的硅酸钠溶液，备用；

S2、将稀硫酸和粒径为8～15μm的二氧化硅粉体混合，高速搅拌下加入所述浓度为0.6～0.8M的硅酸钠溶液至pH值为2～3，搅拌10min，得到酸性硅溶胶，备用；

S3、往反应罐注入所述浓度为1～1.3M的硅酸钠溶液10～12m³，加入氯化钠溶液10～12m³，搅拌10min，然后加热至75～90℃，开启搅拌，加入硫酸溶液至pH值为10～11，停止加酸，加入所述酸性硅溶胶2～5m³，搅拌5min；

S4、保持温度，同时加入所述浓度为1.8～2.2M的硅酸钠溶液10～12m³和硫酸溶液，并保持过程pH值在9.0～9.5，硅酸钠溶液加入完毕后继续加入硫酸溶液至pH值到2～3，停止加酸，陈化10min，将形成的二氧化硅进行压滤，洗涤至二氧化硅滤饼的洗涤水中盐含量低于2％，通过气流干燥后用气流破碎机破碎至粒径为9～11μm，得到低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅。

2.根据权利要求1所述低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中高速搅拌的搅拌速度为34～38HZ。

3.根据权利要求1所述低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中稀硫酸的浓度为1～3M。

4.根据权利要求1所述低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中氯化钠溶液的质量浓度为5～8％。

5.根据权利要求1所述低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中硫酸溶液的加入速度为3～3.5m³/h。

6.根据权利要求1所述低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤S3、S4中硫酸溶液的浓度为4.0M。

7.根据权利要求1所述低磨损高清洁牙膏用磨擦型二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中硅酸钠溶液的加入速度为14m³/h。