[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的数据线和薄膜晶体管；薄膜晶体管的源极包括第一子源极和第二子源极；第一子源极和第二子源极分别与数据线连接；薄膜晶体管的漏极包括第一子漏极；第一子漏极位于第一子源极和第二子源极之间；第一子源极和第二子源极分别与第一子漏极形成有效沟道区域。由于第一子源极和第二子源极相互平行且分别与数据线连接，即第一子源极和第二子源极无交叉，可以减小源极与栅极的交叠面积，降低交叠电容，从而减小负载；又由于电容对充电率的影响远大于电阻的影响，因而采用本实施例提供的阵列基板，可适当减小线宽，提升开口率，同时确保充电率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

目前，大尺寸超高清电视(Ultra High Definition Television，简称UHD)产品是电视产品的重点开发方向，其分辨率可达到3840x 2160，尤其是阵列基板行驱动(GateDriver on Array，简称GOA)超高清电视产品。而UHD GOA产品因充电时间短，加之GOA驱动能力限制，充电不足是一大难题。

为了满足充电率，一般通过采用增大薄膜晶体管(Thin-film Transistor，简称TFT)宽长比值，增加线宽(例如数据线的宽度、栅极的宽度)，从而减小电阻等方法来满足充电率要求。然而TFT宽长比值和线宽会使原本就较小的像素开口率进一步下降，从而影响面板的透过率，增加背光功耗。

一般大尺寸超高清显示产品常采用单缝隙掩膜版(Single Slit Mask，SSM)技术或者改进单缝隙掩膜版(Modified Single Slit Mask，MSM)技术，在SSM TFT的结构中，如图1所示，栅极和源极的间距很小(2um左右)，而曝光机的分辨率一般大于2um，沟道区域利用光栅衍射形成半透区域，经曝光显影刻蚀工艺后形成窄沟道，从而增大宽长比值，整个“U”型沟道所在区域均为有效沟道区域01，但SSM TFT沟道底部容易发生开裂不良或短路不良。为了解决SSM TFT的不良，对沟道底部进行了改进，即为MSM TFT，在MSM TFT结构中，如图2和图3所示，沟道底部空间较大，MSM沟道两侧与SSM一致，这样，虽然可以有效避免沟道底部发生开裂不良或短路不良，但是经曝光显影刻蚀工艺后形成有源层(Active)空白区，“U”型的两侧区域为有效沟道区域02，而“U”型沟道底部为无效沟道区域03，这样使得沟道底部源极与栅极之间的交叠面积很大，造成源极和栅极之间的交叠电容很大，导致负载很大。而为了满足充电率，需大幅增加线宽，从而导致开口率大幅下降，并且，对GOA的驱动能力也形成挑战。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，可以减小源极与栅极的交叠面积，降低交叠电容，从而减小负载。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，衬底基板，设置在所述衬底基板上的数据线和薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管的源极包括第一子源极和第二子源极；所述第一子源极和所述第二子源极分别与所述数据线连接；

所述薄膜晶体管的漏极包括第一子漏极；所述第一子漏极位于所述第一子源极和所述第二子源极之间；

所述第一子源极和所述第二子源极分别与所述第一子漏极形成有效沟道区域。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述源极还包括用于连接所述第一子源极和所述数据线的第三子源极。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第三子源极在衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的栅极在衬底基板上的正投影无交叠区域。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述源极还包括用于连接所述第二子源极和所述数据线的第四子源极。