[发明专利]一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610031786.2 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105552211A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 高凯征;宋吉鑫;于健;张东;林数全;王存旭;杜世鹏;刘春忠;李娜;何毅 | 申请（专利权）人： | 辽宁广告职业学院;沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/27;H01L41/45 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 110148 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 声控 挤压 发电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种声控挤压式发电薄膜，其特征在于，该薄膜从底层到上层依次包括 金属不锈钢板、第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线，偏 聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属银电 极。
2.一种声控挤压式发电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括：在金 属不锈钢板衬底依次制备第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳 米线、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二 金属铝银电极。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在不锈钢板衬底采用磁 控溅射沉积第一金属银电极，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源， 其氩气流量为30～50sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为 50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
4.根据权利求2所述的制备方法，其特征在于，采用PECVD制备第一石 墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体 积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:2～4:1，另外通入氢气作为反 应源，甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为30～100sccm，氢气作为反应源流 量为50sccm，衬底温度为50℃～100℃，沉积时间为3～10分钟。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备第一ZnO纳米线， 其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，氩气流量为30～50sccm，反应 溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10 分钟。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，偏聚氟乙烯压电薄膜的 制备，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，薄膜厚度为800nm到1200nm。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备第二ZnO纳米线， 其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～50sccm，反 应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10 分钟。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用PECVD技术制备 第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源， 按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:1～2:1，另外通入单独 氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为10～20sccm，单独 氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为50℃～100℃，沉积时间为3～10分 钟。
9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备第二金属银电极， 采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流 量为30～60sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为40℃ ～120℃，沉积时间为3～10分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽宁广告职业学院;沈阳工程学院，未经辽宁广告职业学院;沈阳工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610031786.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
