[发明专利]封装结构、薄膜太阳能电池及有机发光显示装置有效
申请号: | 201610031099.0 | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN106992253B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 于甄;陈海力;李硕 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L31/048;H01L27/32 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵囡囡;吴贵明 |
地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 薄膜 太阳能电池 有机 发光 显示装置 | ||
本发明提供了一种封装结构、薄膜太阳能电池及有机发光显示装置。该封装结构包括:柔性基材层,具有相对设置的第一表面和第二表面;水汽阻隔层,设置于柔性基材层的第一表面上;氟化物层,设置于柔性基材层的第二表面上。由于该封装结构包括柔性基材层、水汽阻隔层和氟化物层,从而使封装材料在能够具备阻隔水汽性能和耐老化性能的同时还能够具备柔性;同时,与传统的水汽阻隔层和氟化物层设置于柔性基材层一侧的封装结构相比,由于柔性基材层设置于水汽阻隔层和氟化物层之间,且柔性基材层具有较大的厚度,从而能够更有效地保护水汽阻隔层,进而提高了封装结构的耐老化性能并有效地保持了封装结构的水汽阻隔性能。
技术领域
本发明涉及材料技术领域,具体而言,涉及一种封装结构、薄膜太阳能电池及有机发光显示装置。
背景技术
近年来,由于传统能源问题日渐突出,因此新能源发展迅速,其中太阳能作为一种比较重要的可再生能源,越来越受到人们的重视,并被大规模使用。目前传统的太阳能发电技术是晶硅电池技术,通过形成晶硅太阳能发电面板来使太阳光能转化为电能。但晶硅电池技术也存在一些缺点,主要是其光电转化效率已经快接近其理论极限,上升空间不大,另外硅材料的脆特性也使得其无法变成柔性并大规模的应用在建筑墙面及轻质屋顶上。
薄膜太阳能电池具有轻质的优点,便于柔性,能很好的与轻质屋面和墙面进行结合,其光电转化效率也不断的提升,并能与主流的晶硅电池相媲美。因此薄膜太阳能电池受到了产业界的重视。
目前薄膜太阳能电池主要有以下几类:(1)CIGS电池,(2)有机物太阳能电池(OPV),(3)染料敏化电池(DSSC),(4)钙钛矿型太阳能电池(Perovskite)。这几类电池中的核心材料都对水汽十分敏感,暴露在大气环境中都极其容易发生发电效率的衰减,因此就需要有阻隔水汽渗透的封装结构对其进行保护处理。
比较有效的用于阻隔水汽且能保证电池的发电效率不衰减的材料是玻璃,但是玻璃无法保证电池组件的柔性,且作为封装电池的材料显得十分笨重,对于柔性的薄膜电池来说不是很适用。因此,现有技术中亟需提供一种兼具阻隔性能、耐老化性能和柔性的封装材料。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种封装结构、薄膜太阳能电池及有机发光显示装置,以解决现有技术中的封装材料无法实现在具备阻隔水汽性能和耐老化性能的同时又具备柔性的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种封装结构,包括:柔性基材层,具有相对设置的第一表面和第二表面;柔性基材层,具有相对设置的第一表面和第二表面;氟化物层,设置于柔性基材层的第二表面上。
进一步地,柔性基材层为透明高分子层,优选为PET层或PEN层。
进一步地,透明高分子层为表面经过放电处理、火焰预处理和/或化学预处理的透明高分子层。
进一步地,氟化物层与柔性基材层的表面直接接触设置,优选形成氟化物层的材料为四氟乙烯和/或偏氟乙烯;或者封装结构还包括设置在氟化物层与柔性基材层之间的粘结层,优选形成氟化物层的材料选自乙烯-四氟乙烯共聚物、氟化乙烯丙烯共聚物、乙烯三氟氯乙烯共聚物和聚偏氟乙烯中的一种或多种。
进一步地,水汽阻隔层为无机氧化物层,优选为氧化硅、氧化钛或者氧化铝。
进一步地,封装结构还包括与第一表面接触设置的前处理层,且前处理层用于填充柔性基材层表面的凹陷及空隙。
进一步地,前处理层为丙烯酸类树脂层。
进一步地,封装结构还包括设置于柔性基材层与水汽阻隔层之间的硬化涂层。
进一步地,形成硬化涂层的材料选自聚氨酯涂料、无机纳米陶瓷涂料和辐射固化涂料中的一种或多种。
进一步地,封装结构还包括覆盖于水汽阻隔层的远离柔性基材层的一侧表面上的保护层,优选保护层为丙烯酸类树脂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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