[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制备方法、激光晶化装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下 步骤：

在基底上方形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，以及 对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，以形成低 温多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特 征在于，所述对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退 火先于对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火。

3.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于，对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧采用准分子 激光器进行激光退火。

4.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于，对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧采用固体激 光器进行激光退火。

5.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于，对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退 火的步骤中，所述激光的波长为308nm，能量密度为 300-500mJ/cm²，光脉冲频率为300-500Hz，重叠率为92-98％，扫 描速率为4-16mm/s。

6.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于，对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退 火的步骤中，所述激光的波长为308-1062nm，能量密度为 10-200mJ/cm²。

7.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于，所述在基底上方形成非晶硅薄膜之前还包括：

在基底上形成缓冲层的步骤。

8.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特 征在于，所述缓冲层至少包括氧化硅层、氮化硅层中的至少一层 结构。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特 征在于，所述缓冲层包括氧化硅层和氮化硅层两层结构；其中， 所述氮化硅层的厚度为40-100nm，所述氧化硅层的厚度为 100-300nm。

10.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于，所述非晶硅薄膜的厚度为400-600nm。

11.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于， 包括权利要求1-10中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法。

12.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括通过工艺 形成包括有源层的步骤，其特征在于，形成所述有源层的步骤具 体包括：

在基底上方形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进行激光退火，以及 对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光退火，以形成低 温多晶硅薄膜；

对低温多晶硅薄膜通过构图工艺，形成包括有源层的图形。

13.根据权利要求12所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方 法，其特征在于，所述对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进 行激光退火先于对所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行激光 退火。

14.根据权利要求12或13所述的低温多晶硅薄膜晶体管的 制备方法，其特征在于，

所述在基底上方形成非晶硅薄膜之前还包括：

在基底上形成缓冲层的步骤。

15.一种激光晶化装置，其特征在于，包括：

工作腔；

载台，设置在所述工作腔内，用于承载形成有非晶硅薄膜的 基底；

第一激光器，用于对所述非晶硅薄膜背离所述基底的一侧进 行激光退火；

第二激光器，用于所述基底背离所述非晶硅薄膜的一侧进行 激光退火。

16.根据权利要求15所述的激光晶化装置，其特征在于，所 述第一激光器为准分子激光器；所述第二激光器为固体激光器。