[发明专利]一种制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法

权利要求书

1.一种制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于：在应力作用和低于晶化温度的条件下对非晶材料进行热处理，所述对非晶材料进行热处理过程中，给被处理材料施加纵向应力，所加应力小于断裂强度的任何应力，对于同一组分材料，应力增大，线性区增大，但灵敏度下降；所述热处理的温度低于晶化温度为80～100℃；热处理的保温时间为40～60分钟；

所述非晶材料形状为丝、带、膜、棒的一种，在热处理过程中便于施加纵向应力即可；

所述非晶材料的组分为能制备成非晶合金，并能在退火过程中，通过应力作用感生出具有宽线性灵敏磁敏特性的金属材料，组分为Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe76C1.9P5Si7.6B9.5。

2.根据权利要求1所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用快淬法制备非晶材料；

(2)在气体保护和应力作用下对步骤(1)制得的非晶材料进行退火，其退火温度为200～600℃，退火温度保持时间5～600分钟。

3.根据权利要求2所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于，其中步骤(2)中所述的保护气体为退火过程能阻止被退火材料表面氧化的任何一种气体。

4.根据权利要求3所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于：所述步骤(2)中所述的保护气体为退火过程能阻止被退火材料表面氧化的任何一种气体为氮气。

5.根据权利要求2所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于：其中步骤(2)中所述的应力作用，其值为100～900MPa，应力作用时间为整个退火过程。

6.根据权利要求2所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于：其中步骤(2)中所述的应力作用，其值为100～900MPa，应力作用时间为退火过程中的升温阶段、保温阶段和降温阶段中的任何一个或二个阶段。

7.根据权利要求2所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于：步骤(2)中的所述退火温度为低于晶化温度和高于非晶多形相变临界温度的一个区间，具体为300～500℃。

8.根据权利要求2所述的制备灵敏度高和线性区宽磁敏材料的方法，其特征在于：步骤(2)中的所述退火温度保持时间为10～7200秒、300～4800秒或600～3600秒。