[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板有效
申请号: | 201610016252.2 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN105629591B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 江鹏;杨海鹏;戴珂;尹傛俊;王章涛;闫冰冰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 液晶显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,多条沿第一方向延伸的第一信号线、多条沿第二方向延伸的第二信号线,位于由所述第一信号线和所述第二信号线所限定的各像素区域内的且相互绝缘的公共电极和像素电极,用于连接沿所述第一方向相邻的两个公共电极的连接部,与各所述像素电极对应连接的且至少与所述第二信号线有部分重叠区域的薄膜晶体管,以及若干位于所述第二信号线上且位于所述薄膜晶体管与所述连接部之间的隔垫物;其中,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述连接部与所述第一信号线和所述第二信号线均绝缘;其特征在于,
以与所述隔垫物相邻的两个像素区域为一像素设定区域,至少连接所述像素设定区域中的两个公共电极的连接部在面向所述隔垫物的一侧具有凹槽结构,并且所述连接部在所述像素区域内的上表面与所述衬底基板的上表面之间的距离大于所述隔垫物的下表面与所述衬底基板的上表面之间的距离;
所述连接部与所述薄膜晶体管构成限位结构,用于限制所述隔垫物移动至所述像素区域中。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部的结构相同。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部包括:分别位于两个相邻的像素区域内且沿所述第二方向延伸的第一子连接部,以及用于连接两个所述第一子连接部的第二子连接部;其中,
所述第二子连接部包括:沿所述第一方向延伸的第一延伸部以及由所述第一延伸部的两端向所述第二方向延伸的第二延伸部,其中,所述第二延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一子连接部在所述衬底基板的正投影重合。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子连接部与所述第二信号线设置为同层同材质,且厚度相同;
所述第二子连接部与所述第一信号线设置为同层同材质,且厚度相同。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部位于所述公共电极的上方。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述第一信号线所在层与所述第二信号线所在层之间的第一绝缘层;其中,
所述第二信号线所在层位于所述第一信号线所在层的上方,所述连接部中的所述第一子连接部通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第二子连接部电性连接,所述第二子连接部与对应的公共电极电性连接;或者,
所述第一信号线所在层位于所述第二信号线所在层的上方,所述连接部中的所述第二子连接部通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一子连接部电性连接,所述第一子连接部与对应的公共电极电性连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述连接部上的导电层;
所述连接部在所述衬底基板的正投影覆盖所述导电层在所述衬底基板的正投影。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层与所述像素电极同层设置且相互绝缘。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,在所述第二信号线所在层位于所述第一信号线所在层的上方时,所述阵列基板还包括:位于所述第二信号线所在层与所述像素电极所在层之间的第二绝缘层;
所述导电层通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述连接部中的第一子连接部电性连接。
10.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,在所述第一信号线所在层位于所述第二信号线所在层的上方时,所述阵列基板还包括:位于所述第一信号线所在层与所述像素电极所在层之间的第二绝缘层;
所述导电层通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述连接部中的第二子连接部电性连接。
11.如权利要求1-10任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线为数据线,所述第二信号线为栅线;或,
所述第一信号线为栅线,所述第二信号线为数据线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610016252.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。