[发明专利]一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法

权利要求书

1.一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)首先对p-Si(100)衬底进行RCA标准清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物 质；

2)将p-Si(100)衬底放入电子束真空镀膜系统(e-Beam)中，沉积一层HfO₂薄膜，得到 HfO₂/Si结构；

3)将步骤2)得到的样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中，采用氧等离子体对其进行处 理；

4)将步骤3)处理后的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属作为上电 极，在样品Si衬底的背面溅射金属作为背电极，即得MOS结构器件。

2.如权利要求1所述一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，其特征在于在步骤2)中， 所述沉积采用电子束蒸发沉积。

3.如权利要求1所述一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，其特征在于在步骤2)中， 所述HfO₂薄膜的厚度为20nm。

4.如权利要求1所述一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，其特征在于在步骤3)中， 所述处理的条件为：设置氧气流量40sccm，功率130W，在反应离子刻蚀模式下，对样品进 行氧等离子体处理，处理时间为10min。

5.如权利要求1所述一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，其特征在于在步骤4)中， 所述沉积金属是沉积一层50nm的TaN和300nmAl作为上电极。