[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法

权利要求书

1.一种改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部，所述衬底表面还形成有隔离层，所述隔离层覆盖鳍部部分侧壁表面，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；

在所述隔离层表面形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁表面；

形成覆盖所述鳍部顶部和侧壁表面、以及隔离层表面的非晶材料层；

在所述非晶材料层表面形成氧化物掺杂层，所述氧化物掺杂层内具有掺杂离子；

对所述氧化物掺杂层进行退火处理，使掺杂离子扩散进入鳍部内，在栅极结构两侧的鳍部内形成掺杂区；

在进行所述退火处理后，去除所述氧化物掺杂层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶材料层为非晶碳层或非晶硅层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在去除所述氧化物掺杂层之后，去除所述非晶材料层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述非晶材料层为非晶硅层；采用四甲基氢氧化铵溶液、氢氧化铵溶液、氢氧化钾溶液或者氢氧化钠溶液中的一种或多种，去除所述非晶材料层。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在去除所述氧化物掺杂层之后，对所述非晶材料层进行氧化处理形成氧化层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述非晶材料层为非晶硅层；采用原位水汽生成氧化工艺、快速热氧化工艺或炉内热氧化工艺，对所述非晶材料层进行氧化处理形成氧化层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶材料层的厚度为1纳米至20纳米。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物掺杂层的材料为具有 掺杂离子的氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物掺杂层的材料为氧化硅；所述掺杂离子为N型掺杂离子或P型掺杂离子。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为快速热退火，退火温度为1000摄氏度至1100摄氏度，退火时长为1秒至10秒。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述退火处理之前，还在所述氧化物掺杂层表面形成盖帽层，所述盖帽层的材料致密度大于氧化物掺杂层的材料致密度；且在去除所述氧化物掺杂层之前，还去除盖帽层。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域；所述掺杂区包括位于PMOS区域的鳍部内的P型掺杂区、以及位于NMOS区域的鳍部内的N型掺杂区。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述非晶材料层位于PMOS区域鳍部顶部表面和侧壁表面，所述非晶材料层还位于NMOS区域鳍部顶部表面和侧壁表面；所述氧化物掺杂层包括位于PMOS区域的非晶材料层表面的第一氧化物掺杂层、以及位于NMOS区域的非晶材料层表面的第二氧化物掺杂层，其中，所述第一氧化物掺杂层内具有P型掺杂离子，所述第二氧化物掺杂层内具有N型掺杂离子。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述第一氧化物掺杂层、以及第二氧化物掺杂层的工艺步骤包括：在所述非晶材料层表面形成第一氧化物掺杂层；刻蚀去除位于NMOS区域的第一氧化物掺杂层；在所述NMOS区域的非晶材料层表面以及PMOS区域的第一氧化物掺杂层表面形成第二氧化物掺杂层；刻蚀去除位于PMOS区域的第二氧化物掺杂层。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括：在所述第一氧化物掺杂层表面形成第一盖帽层，所述第一盖帽层的材料致密度大于第一氧化物掺杂层的材料致密度，且在刻蚀去除NMOS区域的第一氧化物掺杂层之前，刻蚀去除NMOS区域的第一盖帽层；且还在第二氧化物掺杂层表面形成第二盖帽层，所述第二盖帽层的材料致密度大于第二氧化物掺杂层的材料致密度。