[发明专利]光学分析装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光学分析装置，其特征在于，具备：

a)基体，其由作为化合物半导体元件用、或者有机半导体元件用的基板而被使用的透明或者半透明的材料形成，在其内部形成有供试样溶液流通的流路；

b)半导体发光部，其一体地形成在内部形成有所述流路的所述基体的外表面，并透过所述基体对所述流路中的试样溶液照射光；以及

c)半导体受光部，其一体地形成在所述基体的外表面的、来自所述流路中的试样溶液的光透过所述基体所到达的位置上，所述流路中的该试样溶液面对所述半导体发光部的照射光，

所述流路为直管状，

所述半导体发光部和所述半导体受光部位于通过所述流路的轴线相互对置的两侧，并且位于在所述流路的长度方向上相互偏离的位置。

2.如权利要求1所述的光学分析装置，其特征在于，

所述半导体发光部包括：第一n型氮化镓薄膜层，其被形成在所述基体的外表面；活性层，其为在所述第一n型氮化镓薄膜层的上表面形成的氮化铟镓和氮化镓的多层膜；第一p型氮化镓薄膜层，其被形成在所述活性层的上表面；第一电极，其被形成在所述第一n型氮化镓薄膜层的上表面；以及第二电极，其被形成在所述第一p型氮化镓薄膜层的上表面，

所述半导体受光部包括：第二n型氮化镓薄膜层，其形成在所述基体的外表面；受光层，其为在所述第二n型氮化镓薄膜层的上表面形成的低带隙的氮化镓系晶体层；第二p型氮化镓薄膜层，其被形成在所述受光层的上表面；第三电极，其被形成在所述第二n型氮化镓薄膜层的上表面；以及第四电极，其被形成在所述第二p型氮化镓薄膜层的上表面。

3.如权利要求1所述的光学分析装置，其特征在于，

所述基体由选自蓝宝石、氮化铝、氧化铋锗、金刚石、氧化铝、碳化硅以及氧化锌的材料构成。

4.一种光学分析装置的制造方法，所述光学分析装置包括基体，所述基体由作为化合物半导体元件用、或者有机半导体元件用的基板而被使用的透明或者半透明的材料形成，在其内部形成有供试样溶液流通的流路，

所述光学分析装置的制造方法的特征在于，包括：

第一步骤，通过半导体制造工序在内部形成有所述流路的所述基体的外表面形成半导体发光部，所述半导体发光部透过所述基体对所述流路中的试样溶液照射光；以及

第二步骤，通过半导体制造工序在所述基体的外表面的、来自所述流路中的试样溶液的光透过所述基体所到达的位置上形成半导体受光部，所述流路中的该试样溶液面对所述半导体发光部的照射光，

所述流路为直管状，

所述半导体发光部和所述半导体受光部位于通过所述流路的轴线相互对置的两侧，并且位于在所述流路的长度方向上相互偏离的位置。

5.如权利要求4所述的光学分析装置的制造方法，其特征在于，

所述第一步骤包括：在所述基体的外表面形成第一n型氮化镓薄膜层；在所述第一n型氮化镓薄膜层的上表面形成活性层，所述活性层为氮化铟镓和氮化镓的多层膜；在所述活性层的上表面形成第一p型氮化镓薄膜层；在所述第一n型氮化镓薄膜层的上表面形成第一电极；以及在所述第一p型氮化镓薄膜层的上表面形成第二电极，

所述第二步骤包括：在所述基体的外表面形成第二n型氮化镓薄膜层；在所述第二n型氮化镓薄膜层的上表面形成受光层，所述受光层为低带隙的氮化镓系晶体层；在所述受光层的上表面形成第二p型氮化镓薄膜层；在所述第二n型氮化镓薄膜层的上表面形成第三电极；以及在所述第二p型氮化镓薄膜层的上表面形成第四电极。