[发明专利]保护膜形成用膜

说明书

本发明的保护膜形成用膜用于形成保护半导体芯片的保护膜，其中，固化后的膜表面的肖氏硬度D为55以上，而且杨氏模量(23℃)为1.0×10⁹Pa以上。

技术领域

本发明涉及为了保护例如半导体芯片的背面而使用的保护膜形成用膜。

背景技术

目前，使用被称为倒装方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，半导体芯片的形成了凸块等电极的芯片表面与基板等对置而接合，另一方面，芯片背面露出，因此通过保护膜进行了保护。已知保护膜例如由保护膜形成用膜来形成。已知保护膜形成用膜例如如专利文献1所公开的那样含有由环氧树脂等构成的热固性成分和由丙烯酸类聚合物等构成的粘合剂聚合物成分。

通常，在使用保护膜形成用膜的情况下，首先在半导体晶片的背面粘贴保护膜形成用膜，对保护膜形成用膜进行固化，然后通过切割将半导体晶片连同固化后的保护膜形成膜一起进行单片化，得到带保护膜的半导体芯片。在切割时，通过粘贴于晶片背面的切割片等保持半导体晶片。另外，通过切割而进行了单片化的半导体芯片通常隔着切割片等从背面侧用针顶起，通过开口夹等进行拾取。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2014/1587426号

发明内容

发明所要解决的课题

然而，对于半导体晶片而言，为了稳定地进行切割，优选以高粘接力保持于切割胶带。但是，在提高切割胶带的粘接力时，拾取半导体芯片时的拾取力也增高，容易发生在保护膜表面带有针痕的不良情况。

本发明是鉴于以上的问题而完成的，其课题在于提供一种可防止在保护膜表面产生针痕的保护膜形成用膜。

用于解决课题的方法

本发明人进行了深入研究，其结果发现，通过将固化后的保护膜形成用膜的肖氏硬度D及杨氏模量设为一定值以上，可以抑制在拾取时形成于保护膜的针痕，从而完成了本发明。本发明提供以下的(1)～(10)。

(1)一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，其中，

固化后的膜表面的肖氏硬度D为55以上，而且固化后的杨氏模量(23℃)为1.0×10⁹Pa以上。

(2)如上述(1)所述的保护膜形成用膜，其含有丙烯酸类聚合物(A)及环氧类固化性成分(B)。

(3)如上述(2)所述的保护膜形成用膜，其中，环氧类固化性成分(B)含有具有环氧基的稠环芳香族化合物(b1)。

(4)如上述(3)所述的保护膜形成用膜，其中，具有环氧基的稠环芳香族化合物(b1)为下述的通式(I)或(II)所示的化合物。

[化学式1]

(其中，在通式(I)中，CR表示稠合多环芳香族烃基，R¹表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，m表示2～6的整数。)

[化学式2]

(其中，在通式(II)中，CR¹及CR²表示稠合多环芳香族烃基，这些稠合多环芳香族烃基任选相同或不同，R²表示二价的烃基，该烃基任选具有取代基，R³表示碳原子数1～10的烷基或缩水甘油醚基，n表示0～3的整数，p为0～10的整数，在p为0时R²表示单键，q表示1～3的整数。)