[发明专利]用于检测导电和/或可极化粒子的传感器及其调整方法

权利要求书

1.一种用于检测导电和/或可极化粒子的传感器(10)，其包括衬底(11)、第一电极层(12)，以及布置在所述衬底(11)和所述第一电极层(12)之间的第二电极层(13)，形成于所述第一电极层(12)和所述第二电极层(13)之间的绝缘层(14)，且分别形成于所述第一电极层(12)中和所述绝缘层(14)中的至少一个开口(15，16)，所述第一电极层(12)中的所述开口(15)和所述绝缘层(14)中的所述开口(16)彼此层叠布置以形成通向所述第二电极层(13)的至少一条盲孔；

所述第二电极层(13)的一部分形成为所述盲孔的底部(28)，使得所述粒子通过所述盲孔到达所述底部(28)；

所述传感器(10)还包括的覆盖层(21)，所述覆盖层(21)形成于所述第一电极层(12)的背对所述绝缘层(14)的侧面、并横向围封所述第一电极层(12)，所述覆盖层(21)为扩散阻挡层。

2.根据权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述第一电极层(12)中的所述开口(15)形成于距所述第一电极层(12)的外围区有一定距离处，所述绝缘层(14)中的所述开口(16)形成于距所述绝缘层(14)的外围区有一定距离处。

3.根据权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述第二电极层(13)借助于粘合剂层(18)间接或直接连接到所述衬底(11)。

4.根据权利要求1中所述的传感器(10)，

其特征在于

所述绝缘层(14)具有0.5μm-50μm的厚度(d)。

5.根据前述权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述绝缘层(14)由氧化铝(Al₂O₃)或二氧化硅(SiO₂)或氧化镁(MgO)或氮化硅(Si₃N₄)或玻璃形成。

6.根据前述权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述绝缘层(14)横向围封所述第二电极层(13)。

7.根据前述权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述第一电极层(12)和/或所述第二电极层(13)由耐高温金属或耐高温合金形成。

8.根据前述权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述第二电极层(13)由具有比所述第一电极层(12)的金属或合金抗蚀刻性高的金属或合金形成。

9.根据前述权利要求1所述的传感器(10)，

其特征在于

所述覆盖层(21)是由陶瓷和/或玻璃和/或金属氧化物形成。

10.根据权利要求9所述的传感器(10)，

其特征在于

所述覆盖层(21)额外横向围封所述绝缘层(14)，额外横向围封所述绝缘层(14)和所述第二电极层(13)。

11.根据前述权利要求9所述的传感器(10)，

其特征在于

多孔过滤层(27)形成于所述第一电极层(12)的背对所述绝缘层(14)的一侧(20)上或所述覆盖层(21)的背对所述第一电极层(12)的一侧(26)上。

12.根据权利要求9所述的传感器(10)，

其特征在于

所述第二电极层(13)的一部分形成为所述盲孔的底部(28)，且所述盲孔至少在所述绝缘层(14)中和所述第一电极层(12)中和形成的所述覆盖层(21)中延伸。