[发明专利]用于制造互连器组件的方法和装置在审
申请号: | 201580073532.0 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN107210333A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 沃齐米兹·布莱兹扎克;索斯藤·霍斯;丹尼尔·拉巴;约阿希姆·福希尔 | 申请(专利权)人: | 佐蒙特股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 鲁异 |
地址: | 德国乌*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 互连 组件 方法 装置 | ||
1.一种制造用于电互连太阳能电池(21)的互连器组件(11)的方法,其中,所述方法包括以下步骤:
-传输形成导体阵列(17)的多个导电体(2),所述导体阵列(17)界定没有导体(2)的空隙(18),和
-向所述导体阵列(17)的侧面施加至少一个薄片(6,7),优选地所述薄片(6,7)由电绝缘材料制造,其中,所述薄片(6,7)具有与所述导体(2)接触的至少一个接触区域(8)和与所述导体阵列(17)的所述空隙(18)重叠的中间部分(9),
其特征在于,向所述导体阵列(17)的侧面施加所述至少一个薄片(6,7)的步骤包括:
在所述导体(2)与所述薄片(6,7)接触之前和/或当所述导体(2)与所述薄片(6,7)接触时:增加所述薄片(6,7)的所述至少一个接触区域(8)中的温度到第一温度,其中,所述第一温度高于形成所述接触区域(8)的材料变为有粘性的温度,使得所述导体(2)通过所述接触区域的材料结合到所述薄片(6,7),
其中,所述薄片(6,7)的远离所述导体阵列(17)的侧面(6a,7a)被保持在第二温度,其中,所述第二温度低于形成所述薄片(6,7)的远离所述导体阵列(17)的侧面(6a,7a)的材料变为有粘性的温度,
和/或其中,所述薄片(6,7)的所述中间部分(9)至少部分地被保持在所述第二温度,其中,所述第二温度低于形成所述中间部分(9)的材料变为有粘性的温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一温度是形成所述接触区域(8)的熔化温度或熔化范围的最低温度,和/或其中,所述第一温度和所述第二温度之间的差值等于至少10℃,优选地至少20℃。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,向所述导体阵列(17)的侧面施加所述至少一个薄片(6,7)的步骤包括:在输送方向(T)上通过加热装置(4)的支撑表面(16)以重叠的方式引导所述导体阵列(17)和所述至少一个薄片(6,7)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述加热装置(4)由可旋转的加热滚筒形成,其中优选地,所述滚筒的与所述薄片(6,7)接触的圆柱表面是光滑的。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述加热滚筒具有用于接收多个导电体(2)和/或所述薄片(6,7)的支撑表面(16),所述多个导电体(2)形成所述导体阵列(17),其中,所述加热滚筒具有至少一个第一部分(12)和至少一个第二部分(13)的结构,优选地具有多个所述第一部分(12)和多个所述第二部分(13)的结构,其中,一个或多个所述第一部分和一个或多个所述第二部分在与所述滚筒的轴线(R)平行的方向上彼此交替,以及其中,与一个或多个所述第二部分(13)相比,一个或多个所述第一部分(12)具有更高的热导率和/或更高的生热率。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法,其中,所述加热装置(4)具有至少一个第一部分(12)和至少一个第二部分(13)的结构,优选地具有多个所述第一部分(12)和多个所述第二部分(13)的结构,其中,一个或多个所述第一部分和一个或多个所述第二部分在与所述加热装置(4)的所述支撑表面(16)平行并且与所述导体阵列(17)和/或所述薄片(6,7)的输送方向(T)垂直的方向上彼此交替,以及其中,与一个或多个所述第二部分(13)相比,一个或多个所述第一部分(12)具有更高的热导率和/或更高的生热率。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的方法,其中,通过感应元件(10)加热所述加热装置(4)和/或所述导体阵列(17),所述感应元件(10)具体为线圈、一个或多个绕组或一个或多个环圈。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的方法,其中,所述薄片(6,7)的远离所述导体阵列(17)的侧面(6a,7a)邻接所述加热装置(4)的所述支撑表面(16)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述薄片(6,7)的一个或多个所述接触区域(8)的材料的熔化温度或熔化范围的最低温度小于所述薄片(6,7)的远离所述导体阵列(17)的侧面(6a,7a)的材料的熔化温度或熔化范围的最低温度。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的方法,其中,仅仅从所述导体阵列(17)的侧面加热彼此重叠的所述导体阵列(17)和所述至少一个薄片(6,7)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佐蒙特股份有限公司,未经佐蒙特股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580073532.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于闹钟的安全监护方法及装置
- 下一篇:拍照控制方法及相关产品
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的