[发明专利]存储器总线管理

说明书

一种管理存储器总线的方法，所述方法包括：标识执行命令所需要的子操作；维持仅包含指向被标识为可用的单独裸片的释放的未执行子操作的释放子操作列表；访问所述裸片直到所述列表为空为止；随后，轮询以便标识可用的裸片；以及随后，恢复通过仅执行来自所述列表的子操作来访问所述裸片，直到所述列表为空为止。

背景技术

本申请涉及对如半导体闪存等可重新编程非易失性存储器的操作。

能够对电荷进行非易失性存储的固态存储器(特别是采取被封装为小形状因数卡的EEPROM和闪速EEPROM的形式)已经变成各种移动和手持式设备(尤其是信息电器和消费者电子产品)中的精选存储设备。不像同样作为固态存储器的RAM(随机存取存储器)，闪存是非易失性的并且甚至在关掉电源之后保留其存储数据。而且，不像ROM(只读存储器)，类似于磁盘存储设备，闪存是可重写的。

闪速EEPROM类似于EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)，因为它是可以被擦除的并且使新数据写入或“编程”到其存储器单元中的非易失性存储器。两者都利用场效应晶体管结构中被定位在半导体衬底中在源极区域与漏极区域之间的沟道区域之上的浮置(未连接的)导电栅极。然后，通过浮栅提供控制栅极。晶体管的阈值电压特性由保留在浮栅上的电荷的量控制。也就是说，对于浮栅上的给定电荷水平，在“接通”晶体管以便允许其源极区域与漏极区域之间导电之前，存在将向控制栅极施加的相应电压(阈值)。如闪速EEPROM等闪存允许同时擦除整个存储器单元块。

浮栅可以保持一些电荷，并且因此可以被编程到阈值电压窗口内的任何阈值电压水平。阈值电压窗口的大小由设备的最小和最大阈值水平界定，所述最小和最大阈值水平进而与可以编程到浮栅上的所述一些电荷相对应。阈值窗口通常取决于存储器设备的特性、操作条件和历史。原则上，窗口内的每个不同的可分解阈值电压水平范围可以用于指定单元的确切存储器状态。

非易失性存储器设备还由具有用于存储电荷的介电层的存储器单元制成。使用介电层而不是此前描述的导电浮栅元件。ONO介电层延伸跨过源极扩散与漏极扩散之间的沟道。一个数据位的电荷被定位在与漏极相邻的介电层中，而另一个数据位的电荷被定位在与源极相邻的介电层中。通过分别读取电介质内的空间分离电荷储存区域的二进制状态来实施多状态数据存储。

许多非易失性存储器沿着衬底(例如，硅衬底)表面形成为二维(2D)或平面存储器。其他非易失性存储器是三维(3D)存储器，所述3D存储器单片地形成于具有被布置在衬底上方的有源区域的一个或多个物理存储器单元级中。

发明内容

在一些非易失性存储器系统中，两个或更多个存储器裸片可以通过共享总线与存储器控制器通信。如果没有有效地管理，则这种总线可能变成瓶颈。具体地，当通过轮询裸片以便标识裸片何时就绪来占用存储器总线时，这使得存储器总线对其他目的而言不可用，即使当其他裸片可能就绪并且可以使用时。存储器总线管理方案的示例将所接收到的命令解析成子命令，所述子命令然后各自占用存储器总线连续的时间段(即它们不中断地使用存储器总线)。仅当子操作的相应裸片就绪时，所述子操作被释放用于执行。因此，当子操作被释放时，其可以被立刻执行而不轮询相应裸片。轮询仅发生在不再存在所释放的子操作用于执行时。因此，只要存在具有被标识为就绪的相应裸片的子操作，就在不延迟轮询的情况下继续执行子操作。仅当不再存在具有被标识为就绪的相应裸片的子操作时轮询发生，从而使得由于轮询而不失去执行的机会。