[发明专利]用于基板处理腔室的边缘环

说明书

本文披露一种边缘环以及用于制造边缘环的工艺。一个实施方式中，边缘环包括环状主体以及多个断热件，所述断热件设置在所述环状主体内。所述断热件设置成垂直于边缘环的环状主体的中心线。

技术领域

本文所述的实施方式大体涉及用于在基板上制造装置的设备。更具体地说，本文所述的实施方式提供一种边缘环，所述边缘环用于在处理腔室中支撑基板。

背景技术

在诸如半导体晶片和显示面板之类的基板的处理中，将基板放置于处理腔室中的支撑件上，同时于处理腔室中维持适当的处理条件。例如，基板可被加热以用于沉积、蚀刻、或是其他的半导体制造工艺。半导体制造工艺期间，可由支撑结构支撑基板，同时来自基板上方或下方的能量用于加热基板。许多处理腔室中，边缘环用于在处理基板的同时保护基板支撑结构。

图1示意性地绘示了用于半导体处理腔室中的传统边缘环100的剖视图。图中并未显示支撑基板和边缘环100的支撑结构。边缘环100的内径略小于待处理的基板102的外径。处理期间，基板102的外边缘区域106设置在边缘环100的支撑表面104上方，使得边缘环100部分地延伸于基板102下方。例如通过使用基板支撑结构中所嵌的加热器，热能110可被导向基板102下方的基板102的底表面和边缘环100，以加热基板102。等离子体108和/或第二热源可从边缘环100上方导向基板102的顶表面，以进一步加热基板102。

如图1中所示的传统边缘环100可能有时候会变得太热，造成边缘环100翘曲(warping)。边缘环100的翘曲造成工具工作时间(uptime)减少(万一边缘环100需要替换)，且造成颗粒生成增加。

因此，需要一种改良的边缘环。

发明内容

本文所述的实施方式大体涉及用在基板处理腔室中的边缘环。所述边缘环具有环状主体。多个断热件(thermal break)设置在所述边缘环的所述环状主体内。所述多个断热件设置成垂直于所述环状主体的中心线。

另一实施方式中，本文描述一种用于制造边缘环的方法。所述方法包括形成环状主体及于所述环状主体内形成多个断热层。所述多个断热件垂直于所述环状主体的中心线。每一断热件穿插在构成所述边缘环的环状主体的材料内。

另一实施方式中，本文披露一种处理腔室。所述处理腔室包括基板支撑构件和边缘环。所述基板支撑构件装被配置成支撑基板。所述边缘环由所述基板支撑构件支撑。所述边缘环被配置成延伸于所述基板支撑构件所支撑的所述基板下方。所述边缘环包括环状主体和多个断热件，所述多个断热件设置在所述环状主体内。所述多个断热件设置成垂直于所述边缘环的所述环状主体的中心线。

附图说明

可通过参考其中一些绘示于附图中的实施方式，来详细理解本公开内容的上述特征，以及以上简要概述的有关本公开内容更具体的描述。然而，应注意附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，因此不应被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。

图1示意性地绘示用在热处理腔室中的传统边缘环的剖视图。

图2示意性地绘示根据一个实施方式的具有改良边缘环的热处理腔室的局部剖视图。

图3是根据一个实施方式的图2的改良边缘环的放大剖视图。

图4是根据一个实施方式的边缘环的另一实施方式的局部剖视图。

为了明确起见，在可应用之处已使用相同的元件符号指定各图共有的相同元件。此外，一个实施方式的元件可有利地适于用在本文所述的其他实施方式中。

具体实施方式