[发明专利]用于基板处理腔室的边缘环有效
申请号: | 201580069444.3 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN107112275B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 戈文达·瑞泽;卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯;波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔;西蒙·亚沃伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 边缘 | ||
1.一种用于基板处理腔室的边缘环,所述边缘环包括:
环状主体,所述环状主体包括第一材料;和
多个断热件,所述多个断热件包括第二材料,所述第二材料具有相对于所述第一材料而言较高的导热系数,其中所述多个断热件的每一个被封装在所述环状主体的所述第一材料内,所述断热件设置成垂直于所述环状主体的中心线并配置成将热于侧向分散于整个所述边缘环中,同时禁止沿所述中心线的轴向传热。
2.如权利要求1所述的边缘环,其中所述边缘环进一步包括:气体分配系统,所述气体分配系统设置在所述环状主体内。
3.如权利要求2所述的边缘环,其中所述气体分配系统沿着所述环状主体的侧壁向下延伸。
4.如权利要求1所述的边缘环,其中所述边缘环进一步包括:
涂层,所述涂层包括第三材料,所述第三材料具有相对于所述第一材料而言较低的导热系数。
5.如权利要求4所述的边缘环,其中所述涂层的所述第三材料是选自由氧化锆、类金刚石碳和石英所构成的组的材料。
6.如权利要求4所述的边缘环,其中所述涂层的所述第三材料包括钇稳定化的氧化锆。
7.如权利要求4所述的边缘环,其中所述涂层具有介于100微米至200微米之间的厚度。
8.如权利要求1所述的边缘环,其中所述断热件沿着所述环状主体的侧壁向下延伸。
9.一种用于制造嵌有导热材料的边缘环的方法,所述方法包括下述步骤:
形成环状主体,所述环状主体包括第一材料;和
于所述环状主体内形成多个断热件,所述多个断热件包括第二材料,所述第二材料具有相对于所述第一材料而言较高的导热系数,所述断热件具有一定向,所述定向垂直于所述主体的中心线,每一断热件穿插于所述第一材料内,并配置成将热于侧向分散于整个所述边缘环中,同时禁止沿所述中心线的轴向传热。
10.如权利要求9所述的方法,其中形成所述环状主体进一步包括下述步骤:在所述环状主体内形成气体分配系统。
11.如权利要求9所述的方法,进一步包括下述步骤:
于所述环状主体上沉积涂层,所述涂层包括第三材料,所述第三材料具有相对于所述第一材料而言较低的导热系数。
12.如权利要求9所述的方法,于所述环状主体内形成多个断热件包括下述步骤:
将所述断热件3D印刷于所述环状主体内。
13.一种处理腔室,包括:
基板支撑构件,所述基板支撑构件配置成支撑基板;和
边缘环,所述边缘环由所述基板支撑构件支撑,所述边缘环配置成于由所述基板支撑构件所支撑的所述基板下方延伸,其中所述边缘环包括:
环状主体,所述环状主体包括第一材料;和
多个断热件,所述多个断热件包括第二材料,所述第二材料具有相对于所述第一材料而言较高的导热系数,其中所述多个断热件的每一个被封装在所述环状主体的所述第一材料内,所述断热件设置成垂直于所述环状主体的中心线并配置成将热于侧向分散于整个所述边缘环中,同时禁止沿所述中心线的轴向传热。
14.如权利要求13所述的处理腔室,其中所述边缘环进一步包括气体分配系统,所述气体分配系统设置在所述环状主体内。
15.如权利要求13所述的处理腔室,其中所述边缘环进一步包括:
涂层,所述涂层包括第三材料,所述第三材料具有相对于所述第一材料而言较低的导热系数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580069444.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于手机的图形用户界面
- 下一篇:瓷砖(9FMB2006‑1‑7)
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造