[发明专利]X射线束开始和停止的检测有效
申请号: | 201580069269.8 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN107112337B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | T.J.特雷维尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔斯特里姆保健公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/32;H04N5/3745 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;郑冀之 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 开始 停止 检测 | ||
1.一种射线照相能量检测像素电路,所述像素电路包括:
光电传感器,所述光电传感器用于响应于光子撞击所述光电传感器而生成电荷;
数据线;
可控开关装置,所述可控开关装置电连接到所述光电传感器并且电连接到所述数据线,以用于选择性地将电荷从所述光电传感器传输到所述数据线;
感测电路,所述感测电路电连接到所述光电传感器,以测量所述光电传感器中的电荷生成率,
其中所述光电传感器包括光电二极管,所述开关装置包括TFT,所述光电传感器的一个端子包括阴极,所述TFT和所述感测电路电连接到所述阴极,所述阴极还电连接到所述TFT的漏极端子,所述光电传感器的另一端子包括阳极,并且其中所述阳极电连接到偏置电压源;以及
感测电容器,所述感测电容器电连接在所述阴极与所述感测电路之间。
2.如权利要求1所述的像素电路,其中所述感测电路包括电流感测电路或电荷感测电路,以测量电荷或电流随着时间的变化。
3.如权利要求2所述的像素电路,其中所述感测电路测量所述光电传感器中生成的电荷量的变化。
4.如权利要求3所述的像素电路,其中所述感测电路包括运算放大器、反馈电容器,所述反馈电容器电连接所述运算放大器的输出端和输入端,所述感测电容器电连接到所述反馈电容器,并且其中当由所述感测电路检测到的随着时间改变的电荷率超出阈值时,所述感测电路传输信号。
5.如权利要求3所述的像素电路,其中当通过积累电荷而生成的电流量随着时间变化超过阈值时,所述感测电路传输信号。
6.一种射线照相检测器,所述检测器包括:
基底;
多个电介质层,所述多个电介质层在所述基底上方;
光电传感器阵列,所述光电传感器阵列在所述电介质层上方的装置层中形成,以用于响应于光子撞击所述光电传感器而生成电荷,所述光电传感器中的每个包括阳极、阴极和处于前两者之间的电荷收集层;
数据线,所述数据线在所述基底上方、大体上平行于所述光电传感器的第一部分的第一侧并且与之相邻而形成;
栅极线,所述栅极线在所述基底上方且在所述电介质层中的一个的下方、大体上平行于所述光电传感器的第二部分的第二侧并且垂直于所述数据线而形成,所述第二部分不同于所述光电传感器的所述第一部分;
开关装置,所述开关装置在所述栅极线上方形成,所述开关装置用于在所述栅极线的控制下选择性地将所述阴极电连接到所述数据线;以及
感应电极,所述感应电极在所述基底上方且在所述光电传感器的下方而形成,所述感应电极通过所述电介质层中的一个或多个而与所述光电传感器隔开,
其中所述感应电极通过与所述光电传感器之间的电容而电连接到所述光电传感器,
所述栅极线和所述感应电极在同一电介质层的下方形成,所述光电传感器各自包括光电二极管,所述光电二极管各自的一个端子包括阴极,所述光电二极管各自的另一端子包括阳极,所述电容将所述阴极连接到所述感应电极,偏置电压源电连接到所述阳极,并且其中所述感应电极电连接到感测电路,所述感测电路包括电流感测电路或电荷感测电路,以测量所述光电传感器中随着时间变化的电荷生成率。
7.如权利要求6所述的检测器,其中所述栅极线和所述感应电极在不同电介质层的下方形成。
8.如权利要求6所述的检测器,其中当所述电荷生成率随着时间变化超过阈值时,所述感测电路传输信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的