[发明专利]导电性氧化物烧结体、导电用构件、气体传感器、压电元件以及压电元件的制造方法

权利要求书

1.一种导电性氧化物烧结体，其特征在于，包含具有组成式：RE_aCo_bCu_cNi_dO_x所示的钙钛矿型氧化物晶体结构的晶相，其中，RE表示稀土元素，a+b+c+d＝1，1.25≤x≤1.75，所述a、b、c、d满足：

0.474≤a≤0.512、

0.050≤b≤0.350、

0c0.250、

0.050≤d≤0.350。

2.根据权利要求1所述的导电性氧化物烧结体，其特征在于，

所述稀土元素RE为La。

3.根据权利要求2所述的导电性氧化物烧结体，其特征在于，

所述a、b、c、d满足：

0.487≤a≤0.506、

0.050≤b≤0.250、

0c0.250、

0.200≤d≤0.275。

4.一种导电用构件，其特征在于，具备：

陶瓷制的基材、和

在所述基材的表面上的由权利要求1～3中任一项所述的导电性氧化物烧结体形成的导电体层。

5.一种气体传感器，其特征在于，具备由权利要求1～3中任一项所述的导电性氧化物烧结体形成的电极。

6.一种压电元件，其特征在于，具备：

由压电陶瓷组合物形成的压电陶瓷、和

在所述压电陶瓷的表面上的由权利要求1～3中任一项所述的导电性氧化物烧结体形成的电极。

7.一种压电元件的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求6所述的压电元件的制造方法，该方法包括如下工序：

制作工序，制作由所述压电陶瓷组合物形成的未烧结成型体；

第一煅烧工序，通过将所述未烧结成型体在第一煅烧温度下煅烧而得到所述压电陶瓷；

涂布工序，在所述压电陶瓷的表面涂布用于形成所述导电性氧化物烧结体的导电性氧化物糊剂；和

第二煅烧工序，将涂布有所述导电性氧化物糊剂的所述压电陶瓷在低于所述第一煅烧温度的第二煅烧温度下煅烧。