[发明专利]具有直接出口环状等离子体源的等离子体处理系统

权利要求书

1.一种等离子体处理系统，包括：

处理腔室；

等离子体源，所述等离子体源包含限定环状的等离子体腔的等离子体产生阻挡件，其中：

在操作中，所述等离子体源在所述等离子体腔中产生等离子体；

所述等离子体产生阻挡件和所述等离子体腔围绕环轴是实质径向对称的，所述环轴限定轴向方向和径向方向；

所述等离子体产生阻挡件在所述等离子体腔的第一轴向侧上限定多个出口孔，其中由所述等离子体源所产生的等离子体产物在所述轴向方向上通过所述多个出口孔从所述等离子体腔朝所述处理腔室传递；以及

扩散板，所述扩散板安置于所述等离子体源及所述处理腔室之间，所述扩散板限定穿过所述扩散板的多个孔以供所述等离子体产物从所述等离子体腔前行进所述处理腔室，其中所述扩散板限定一或更多个气体通道，所述一或更多个气体通道向面向所述处理腔室的所述扩散板的一侧传导未活化气体。

2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述等离子体源还包括平面板，所述平面板在所述第一轴向侧上邻接所述等离子体产生阻挡件，所述等离子体产生阻挡件及所述平面板实质围住所述等离子体腔，所述平面板限定所述多个出口孔。

3.如权利要求2所述的等离子体处理系统，所述等离子体源进一步包括电感线圈及磁心构件，

所述电感线圈至少部分地围绕所述磁心构件缠绕，且

所述磁心构件被安置于所述等离子体产生阻挡件附近，

使得所述电感线圈中的电流在所述磁心构件中诱发磁通量，且所述磁心构件中的所述磁通量在所述等离子体腔内诱发方位电流以产生所述等离子体。

4.如权利要求3所述的等离子体处理系统，所述平面板包括介电材料，所述等离子体腔包括铝，且包括多个介电断路器，所述多个介电断路器中断由所述磁通量所诱发的方位电流。

5.如权利要求1所述的等离子体处理系统，所述处理腔室围绕所述环轴是实质径向对称的，所述多个出口孔相对于所述环轴是对称地布置的，使得所述等离子体产物从所述等离子体腔朝所述处理腔室跨所述径向方向均匀地分布。

6.一种等离子体处理系统，包括：

处理腔室，所述处理腔室围绕腔室轴是实质径向对称的，所述腔室轴限定轴向方向，所述处理腔室包括定位单一晶片以在所述处理腔室内进行处理并且与所述腔室轴同轴的基座；

外等离子体源，所述外等离子体源在外等离子体腔中产生第一等离子体，

所述外等离子体源包含限定所述外等离子体腔的内环形和外环形的等离子体阻挡件，

所述外等离子体腔围绕环轴是径向对称的，所述环轴与所述腔室轴重合，

所述外等离子体腔通过形成在所述外等离子体源的所述等离子体阻挡件的第一轴向侧上的外出口开口与所述处理腔室流体连通，使得由所述第一等离子体所产生的等离子体产物在轴向方向上通过所述外出口开口从所述外等离子体腔朝所述处理腔室传递；

内等离子体源，所述内等离子体源在内等离子体腔中产生第二等离子体，

所述内等离子体源包含限定所述内等离子体腔的内环形和外环形的等离子体阻挡件，

所述内等离子体腔围绕所述环轴是径向对称的，所述环轴与所述腔室轴重合，且所述内等离子体腔是自所述外等离子体腔径向朝内的，

所述内等离子体腔通过形成在所述内等离子体源的所述等离子体阻挡件的第一轴向侧上的内出口开口与所述处理腔室流体连通，使得由所述第二等离子体所产生的等离子体产物在所述轴向方向上通过所述内出口开口从所述内等离子体腔朝所述处理腔室传递；以及

扩散板，所述扩散板安置于所述内等离子体源和/或所述外等离子体源与所述处理腔室内的处理位置之间，所述扩散板限定穿过所述扩散板的多个孔以供所述等离子体产物前行进所述处理腔室，其中所述扩散板限定一或更多个气体通道，所述一或更多个气体通道向面向所述处理腔室的所述扩散板的一侧传导未活化气体。

7.如权利要求6所述的等离子体处理系统，其中所述外出口开口及所述内出口开口中的至少一者是实质在方位上连续的。