[发明专利]光刻方法和设备

说明书

一种校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法，所述方法包括：使用位于所述光刻设备中的传感器来执行由所述投影系统造成的像差的测量；基于自机器状态的改变以来所述光刻设备的操作历史确定是否将所测量的像差与之前使用所述传感器而获得的像差测量进行平均化；如果确定不应执行平均化，则使用所测量的像差来计算待应用于所述光刻设备的校正；如果确定应执行平均化，则使用平均化的像差测量来计算待应用于所述光刻设备的校正；以及将所计算的校正应用于所述光刻设备。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年12月2日递交的欧洲申请14195783.78的优先权，并且其通过引用全文并入本发明。

技术领域

本发明涉及一种光刻方法和设备，且尤其涉及(但非排他地)是一种校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可用于(例如)集成电路(1C)的制造中。在所述情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可用以产生待形成于IC的单独层上的电路图案。可将该图案转移至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或几个管芯)上。通常通过使用投影系统以将图案成像至提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转移。通常，单个衬底将包含依次被图案化的邻近目标部分的网络。

用以将图案成像至衬底上的投影系统将把一些像差引入至投影后的图像中。

本发明的一个目的是提供一种避免或减轻与现有技术相关联的问题的校正像差的方法。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法，所述方法包括：使用位于所述光刻设备中的传感器来执行由所述投影系统造成的像差的测量；基于自机器状态的改变以来所述光刻设备的操作历史确定是否将所测量的像差与之前使用所述传感器而获得的像差测量进行平均化；如果确定不应执行平均化，则使用所测量的像差来计算待应用于所述光刻设备的校正；如果确定应执行平均化，则使用平均化的像差测量来计算待应用于所述光刻设备的校正；以及将所计算的校正应用于所述光刻设备。

所述方法是有利的，这是因为其允许在平均化的像差测量是有用的时(例如，在像差相对慢地改变时)使用像差测量的平均化，而在平均化的像差测量是较不有用的时(例如，在像差相对快地改变时)不将像差测量平均化。

所述光刻设备的所述操作历史可以包括自所述光刻设备的机器状态的改变以来由所述光刻设备曝光的衬底或衬底批次的数目。

在机器状态的所述改变为(例如)照射模式的改变和/或掩模的改变的情况下使用这一方法可以是有利的。

所述光刻设备的所述操作历史可以包括自所述光刻设备的机器状态的改变以来经过的时间。

在机器状态的所述改变为(例如)所述光刻设备的操作的中断的情况下(例如，关闭所述光刻设备，之后稍后再次启动所述光刻设备)使用这一方法可能是有利的。

可在确定是否将所测量的像差与之前测量的像差进行平均化时考虑机器状态的所述改变的性质。

可在确定计算所述平均化的像差测量的方式时考虑机器状态的所述改变的所述性质。

所述光刻设备的机器状态的所述改变可以包括以下中的一个或更多个：所述光刻设备的操作的中断、照射模式的改变、掩模的改变、批次大小的改变，或辐射剂量的改变。

所述方法可以包括：如果自已发生机器状态的改变以来尚未执行像差测量，则不执行已测量的像差的平均化。

所述平均化的像差测量可以是像差测量的滚动平均值。