[发明专利]固态摄像元件和电子设备有效
申请号: | 201580055231.5 | 申请日: | 2015-10-07 |
公开(公告)号: | CN106796943B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 铃木亮司;守谷仁;安藤厚博;正垣敦 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/359;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 电子设备 | ||
本发明涉及用于使固态摄像元件的的图像质量能够得到改善的固态摄像元件和电子设备。固态摄像元件包括光电转换部,该光电转换部用于执行从预定入射表面入射的入射光的光电转换。固态摄像元件还包括布线,该布线布置在底侧,即,与光电转换部的入射表面相反的表面上,在布线中,与光电转换部相对的表面上形成有突出图案。例如,本发明能够应用到诸如CMOS图像传感器等固态摄像元件和均具有固态摄像元件的电子设备。
技术领域
本发明涉及固态摄像元件和电子设备,特别地涉及能够改善图像质量的固态摄像元件和电子设备。
背景技术
在背侧照射型CMOS图像传感器(CIS:CMOS image sensor)中,入射光的一部分(尤其是长波段内的光)没有被充分吸收,且穿过由光电二极管等形成的光电转换部并进入布线层。然后,透射光被布线层中的布线反射并进入相邻像素的光电转换部,由此引起混色并使图像质量劣化。
因此,在现有技术中提出的技术中,在基板层的与形成有光电转换部的光入射侧相反的表面上形成有由钨制成的反射层。因为已经穿过光电转换部的光被反射层在朝向同一光电转换部的方向上反射,所以防止了混色的发生(例如,参见专利文献1)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开号2010-177705
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,在专利文献1的发明中,因为反射层形成在与用于将基板层的栅电极连接到布线层的接触部相同的层中,所以可能增加对布线布局的限制。另一方面,在使布线布局优先的情况下,可能不能布置足够的反射层,并不能充分抑制混色的发生。
因此,本发明旨在改善固态摄像元件的图像质量。
解决问题的技术方案
根据本发明的第一方面的固态摄像元件包括:光电转换部,其被配置成对从预定入射表面入射的入射光进行光电转换;以及布线,其布置在所述光电转换部的底表面侧上,并在面对所述光电转换部的表面上形成有突出图案,所述底表面侧是所述光电转换部的所述入射表面的相反面。
能够针对一个所述光电转换部布置有多个上述图案。
所述图案能够沿所述布线的延伸方向以不同的间隔布置。
所述图案能够以没有直线对准的方式布置。
在位置越靠近所述固态摄像元件的外围的像素中,在垂直于所述外围的侧边的方向上的所述图案能够具有越低的密度。
当从所述光电转换部这一侧观察时,所述图案能够布置在不与位于比形成有所述图案的布线更靠近所述光电转换部的位置处的布线重叠的位置处。
所述图案的宽度是能够根据所述布线的宽度设定的。
在位置越靠近所述固态摄像元件的外围的像素中,在垂直于所述外围的侧边的方向上延伸的布线中的所述图案能够在所述布线的延伸方向上的长度越长。
所述图案能够形成为没有形成在与所述光电转换部的所述底表面最靠近的布线层的布线中。
所述图案仅能够布置在用于接收具有预定波长或大于所述预定波长的光的像素的所述光电转换部中。
所述图案能够在用于连接相邻布线层的布线的工艺和用于将布线连接至形成有所述光电转换部的半导体基板的工艺之中的至少一个工艺中形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的