[发明专利]软磁性扁平粉末及其制造方法在审
申请号: | 201580047783.1 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN107077938A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 前泽文宏;泽田俊之 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | H01F1/20 | 分类号: | H01F1/20;B22F1/00;B22F9/08;H01F1/147;C22C38/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张玉玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 扁平 粉末 及其 制造 方法 | ||
本申请基于2014年10月2日申请的日本国专利申请2014-203642号主张优先权,其全体的公开内容通过参照而编入本说明书。
技术领域
本发明涉及用于噪音抑制用磁片的软磁性扁平粉末及其制造方法。
背景技术
历来,含有软磁性扁平粉末的磁片,能够作为电磁波吸收体、RFID(Radio Frequency Identification:射频识别)用天线使用。另外,近年来,也被用于称为数字转换器的位置检测装置。在该数字转换器中,例如有日本特开2011-22661号公报(专利文献1)这样电磁感应型的,由内置于钢笔状的位置指示器的尖端的线圈发射的高频信号,通过内置于板状的位置检测器的环形线圈读取,从而检测指示位置。
在此,以提高检测灵敏度为目的,在环形线圈的背面配置有作为高频信号的磁路的片材。作为构成该磁路的片材,适用的是使软磁性扁平粉末在树脂和橡胶中定向的磁片、使软磁性非晶合金箔贴在一起的磁片等。使用磁片时,因为能够使检测板整体为1张片材,所以不存在像非晶箔这样的贴合部的检测不良等,能够得到优异的均匀性。
另外,历来,能够利用碾磨机(磨碎机)等,使Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Ni合金、Fe-Al合金、Fe-Cr合金等所构成的粉末扁平化而添加在磁片中。这是由于,为了得到高导磁率的磁片,由所谓的“Ollendorff的算式”可知,重要的是使用导磁率高的软磁性粉末,为了降低去磁场而使用在磁化方向拥有高长宽比的扁平粉末,在磁片中将软磁性粉末进行高充填。作为增大软磁性扁平粉末的长径,制作长宽比高的扁平状的粉末的方法,例如,在专利第4636113号公报(专利文献2)中,公开有使用碳数2~4的一元醇而实施扁平加工的方法。
数字转换器功能适用于智能手机和平板电脑终端等,但这样的移动电子设备对小型化的要求严格,作为磁路片所用的磁片其薄壁化的要求也高,50μm以下左右的薄度才能够使用。此外,在平板电脑终端,液晶画面也会达到10英寸,对磁片还要求大面积。以通常适用的轧制和冲压的方法制作这样的薄壁的磁片时,在现有厚度的磁片中不构成问题的粉末的片材成形性成为问题。
即,使用的软磁性扁平粉末的长径过大时,制作50μm以下的薄度的磁片时,方向性不统一,或片材内的磁性粉末中存在疏密,多有片成型无法顺利进行的情况。为了消除片成型时的这种问题,进行的是降低片材制作时的粉末充填率这样的方法,和在成型后对片材进行冲压这样的方法等。但是,前者的方法等,结果是降低片材的导磁率,使性能下降。另外,后者的方法等因为对片材中的粉末施加过大的应力,所以粉末中被导入应变。应变的导入带来粉末的矫顽磁力Hc的增大,粉末的导磁率降低,因此结果是使性能降低。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2011-22661号公报
【专利文献2】日本专利第4636113号公报
例如,专利文献2所示这样的,使用平均粒径D50大的软磁性扁平粉末时,片成型困难。
发明内容
因此,本发明其目的在于,提供一种平均粒径小,并且50μm以下的薄磁片的成形性优异,而且具有高导磁率的软磁性扁平粉末及其制造方法。
根据本发明的一个方式,可提供一种软磁性扁平粉末,其是由Fe-Si-Al系合金构成的扁平粉末,平均粒径D50为30以上且低于50μm,在扁平粉末的纵长方向上外加磁场而测量的矫顽磁力Hc为176A/m以下,振实密度对于真密度的比为0.18以下,比表面积BET值为0.6m2/g以上,含氧量为0.6质量%以下,并且软磁性粉末的BET值与氧值满足下式(1)。
氧值/BET值≤0.50(但不含0)…(1)
根据本发明的另一方式,可提供一种软磁性扁平粉末的制造方法,其是上述软磁性扁平粉末的制造方法,包括如下工序:通过气体雾化法或盘式雾化法制作原料粉末的原料制作工序;使所述原料粉末扁平化的扁平加工工序;对于经扁平加工的所述原料粉末在真空或氩气氛中,以700~900℃进行热处理的工序。
通过使用满足上述条件的软磁性扁平粉末,能够制成导磁率十分高的电磁波吸收体用磁片。在此,高频的导磁率μ能够借助实数部μ’和虚数部μ”以复导磁率(μ=μ’―jμ”)表示,但μ的最大值越大,则μ”的值也有变得越大的倾向。
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