[发明专利]装载口及装载口的气氛置换方法有效
申请号: | 201580047472.5 | 申请日: | 2015-08-27 |
公开(公告)号: | CN106856664B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 坂田胜则;奥津英和 | 申请(专利权)人: | 日商乐华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王译晗<国际申请>=PCT/JP2015 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装载 气氛 置换 方法 | ||
本发明提供一种装载口,能够在将基板收纳空间内部维持为净化气体气氛的状态下,利用搬运机器人进行基板的搬入搬出。在将基板收纳容器的盖开放之后,在比开放位置进一步前进的第3位置,通过将基板收纳容器的开口部的周缘部密闭的框体以及多个遮蔽板沿铅垂方向配置而成的开闭器部将基板收纳容器的开口部封闭。开闭器部使多个遮蔽板的全部或者一部分局部地移动,能够形成狭窄的开口部(第3开口部),将基板收纳空间内部进行了气氛置换的状态下的基板的搬运经由该狭窄的开口部(第3开口部)进行。
技术领域
本发明涉及一种装载口,其用于相对于收纳半导体晶圆等薄板状的基板等的密闭容器搬入或搬出该基板等。本发明尤其涉及具有气氛置换功能的装载口及装载口的气氛置换方法,为了在处理各种薄板状的基板等时在各处理工序之间进行搬运,在相对于在从外部环境被隔离的气氛内收纳多个薄板状的基板等的密闭容器搬入或搬出薄板状的基板等时,将容器内部的气氛置换成非活性气体等的气氛。
背景技术
在本说明书中,各种薄板状的基板等包括半导体晶圆、液晶显示器面板用基板、有机EL显示器面板用基板、等离子显示器面板用基板、或太阳能电池用面板用基板等薄板状的基板,在以下的说明中,将以上的各种薄板状的基板等简称为“基板或薄板状基板”。
以往,在对半导体晶圆等薄板状基板进行镀膜或蚀刻等各式各样的处理的各种处理装置、进行基板的移载的EFEM(Equipment Front End Module)、以及将批次编号读取分类的被称为分拣机的装置等中,为了防止空气中浮游的微粒附着在薄板状基板上,采用将薄板状基板所曝露的装置内部气氛保持在高度清洁的微环境方式。在该微环境方式中,通过将被高度清洁化的空气仅向EFEM内部的比较微小的空间(微环境空间)供给,从而能够以比较便宜的费用将基板存在的空间维持为高清洁度。
但是近年来,半导体电路线宽度的微细化快速推进,逐渐出现仅靠基于以往的微环境方式的高清洁化无法应对的问题。尤其是,有时候被处理装置处理并搬入到密闭容器内部的薄板状基板的表面与空气中的氧和水分发生反应,生成自然氧化膜之类的各种处理工序中不优选的膜。因这种氧化膜存在而产生形成于薄板状基板的表面的组件无法确保所期望的特性的问题。另外,由于将在处理装置内使用的污染物质以附着在薄板状基板上的状态搬入到密闭容器内,因此还存在该污染物质甚至污染到密闭容器内的其他薄板状基板,对下一个处理工序带来负面影响而导致成品率恶化的情况。
作为解决这种问题的方法,以往考虑如下方法:用非活性气体将进入密闭容器内的空气或污染物质除去,通过利用非活性气体充满密闭容器内来防止收纳于内部的薄板状基板表面氧化。在专利文献1中公开了如下方法:对于载置于1个密闭容器即FOUP(FrontOpening Unified Pod)的晶圆,从在隔开规定距离的位置以进退自如的方式设置的净化托板将非活性的净化气体朝FOUP内部供给,由此将附着在晶圆表面的污染物质除去。在收纳于该净化托板的内部的净化气体供给喷嘴的前端部,具备抑制净化气体的喷出力的元件,防止净化气体有力地朝FOUP内部喷出。
根据该方法,通过不产生乱流地将大量的净化气体供给至FOUP内部,由此能够在不使滞留在FOUP内部的尘埃飞散的情况下短时间内置换FOUP内部的气氛。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5448000号公报
但是在上述的方法中,在全部的处理完成的基板被收纳于FOUP内之前,FOUP的开口未被盖封闭。且,在即将利用盖封堵之前,利用净化气体置换FOUP内部的气氛。因此,在利用净化气体进行置换之前的期间,载置于FOUP内部的基板的表面长时间曝露于空气中的氧和水分。尤其是,在从第1张基板搬运到FOUP内部到最后的基板被搬运为止需要长时间的处理工序的情况下,这期间曝露于氧和水分的基板的表面的氧化持续进行,因在此生成的氧化膜而产生半导体组件无法获得所期望的特性的问题。
发明内容
发明要解决的课题
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造