[发明专利]醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的形成方法和醇化合物

说明书

本发明的醇盐化合物的特征在于由下述通式(I)表示。

技术领域

本发明涉及新的醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料、使用该薄膜形成用原料的薄膜的形成方法和新的醇化合物。

背景技术

含有金属元素的薄膜材料显示出电特性和光学特性等，因而可应用于各种用途。例如，铜和含铜薄膜从高的导电性、高电迁移耐性、高熔点等特性考虑，作为LSI的布线材料应用。另外，镍和含镍薄膜主要用于电阻膜、阻挡膜等电子元件的构件、磁性膜等记录介质用的构件、电极等薄膜太阳能电池用构件等。另外，钴和含钴薄膜用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁性带、超硬工具构件等。

作为上述的薄膜的制造法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法、溶胶凝胶法等MOD法、化学气相成长法等，但由于具有组成控制性、台阶覆盖性优异，适于量产化，可混合集成等多项优点，包括ALD(原子层沉积)法在内的化学气相成长(以下，有时简称为“CVD”)法是最适合的制造工序。

作为用于化学气相成长法的金属供给源，大量报道了各种各样的原料，例如，专利文献1中公开了可用作利用有机金属化学气相蒸镀(MOCVD)法的含镍薄膜形成用原料的镍的叔氨基醇盐化合物。另外，专利文献2中公开了可用作利用MOCVD法的含钴薄膜形成用原料的钴的叔氨基醇盐化合物。进而，专利文献3中公开了可用作利用化学气相成长法的含铜薄膜形成用原料的铜的叔氨基醇盐化合物。进而，非专利文献1中公开了铜、镍、钴、铁、锰和铬的叔亚氨基醇盐化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特表2008-537947号公报

专利文献2：韩国注册专利第10-0675983号公报

专利文献3：特开2006-328019号公报

非专利文献

非专利文献1：J.Am.Chem.Soc.，2013，135，12588-12591

发明内容

发明要解决的课题

在使化学气相成长用原料等气化而在基材表面形成含有金属的薄膜时，为了减少薄膜形成时的加热对基材的损伤、以及为了减少形成薄膜所必需的能量，要求可在低温下热分解而形成薄膜的材料。进一步从安全方面考虑，要求没有自燃性的材料，从运输方面考虑，要求熔点低的材料。其中，在使化学气相成长用原料等气化而形成金属薄膜的情况下，当在高温下加热化学气相成长用原料时，存在金属薄膜的膜质变差，电阻值变高，得不到期望的电特性的问题。因此，要求通过在低温下热分解即可形成金属薄膜的化学气相成长法用原料。

例如，在使化学气相成长用原料等气化而形成金属铜薄膜的情况下，存在通过进行200℃以上的加热得到的金属铜薄膜的电阻值升高的问题。该问题的原因还没有确定，但推测是因为通过进行200℃以上的加热，得到的薄膜中存在的铜粒的粒径增大和/或这些粒子产生凝集。因此，作为用于形成金属铜薄膜的化学气相成长法用原料，要求在低于200℃发生热分解的用于形成金属铜薄膜的化学气相成长法用原料。对于以往的醇盐化合物来说，在热稳定性方面没有得到充分满足。

因此，本发明的目的是提供无自燃性、熔点低，例如，对于钴醇盐化合物和铜醇盐化合物来说可在低于200℃热分解、对于镍醇盐化合物来说可在240℃以下热分解、显示充分的挥发性的新的醇盐化合物、含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料、使用该薄膜形成用原料的薄膜的形成方法以及用于制造该醇盐化合物的新的醇化合物。

解决课题的手段

本发明人等反复研究的结果发现，特定的醇盐化合物能够解决上述课题，完成了本发明。

即，本发明涉及下述通式(I)表示的醇盐化合物、含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料、以及使用该薄膜形成用原料的薄膜的形成方法。