[发明专利]醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的形成方法和醇化合物有效
申请号: | 201580040201.7 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN106660946B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 樱井淳;畑濑雅子;吉野智晴;远津正挥 | 申请(专利权)人: | 株式会社ADEKA |
主分类号: | C07C251/08 | 分类号: | C07C251/08;C23C16/18;H01L21/285;C07F1/08;C07F15/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盐化 薄膜 形成 原料 方法 醇化 | ||
1.下述通式(I)表示的醇盐化合物,
式中,R1为乙基时,R2为乙基;或者当R1为甲基时,R2为异丙基;R3为碳数1~3的烃基;M表示铜、铁、镍、钴或锰;n表示M表示的金属原子的价数。
2.薄膜形成用原料,其含有权利要求1所述的醇盐化合物。
3.薄膜的形成方法,其中,将使权利要求2所述的薄膜形成用原料气化而得到的含有醇盐化合物的蒸气导入到设置有基体的成膜室内,使该醇盐化合物发生化学反应,从而在该基体的表面形成含有选自铜、铁、镍、钴或锰中的至少1种原子的薄膜。
4.权利要求3所述的薄膜的形成方法,其中,所述化学反应是分解反应。
5.下述通式(II)表示的醇化合物,
式中,R4为乙基时,R5为乙基;或者当R4为甲基时,R5为异丙基;R6为碳数1~3的烃基,
其中,通式(II)不包括式的化合物。
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