[发明专利]一种芯片供电方法及芯片有效

专利信息
申请号: 201580000993.5 申请日: 2015-06-15
公开(公告)号: CN106797179B 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 周雪萍;陈子贤;薛庆华 申请(专利权)人: 京微雅格(北京)科技有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;G06F1/26
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 陈霁
地址: 北京市大兴区北京经济技术开发区地盛*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 供电 方法
【说明书】:

一种芯片供电方法及芯片,配置存储器(202)给NMOS传输门(201)提供配置电压,LDO电路(203)为芯片供电,该方法包括:确定芯片的工作状态从初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第一状态改变到初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第二状态(S101);根据芯片的工作状态,调节配置位,调节LDO电路的输出电压(S102)。芯片供电方法降低了芯片在内存配置过程中的功耗,并提升了用户使用阶段的工作性能。

技术领域

发明涉及现场可编程逻辑门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)芯片的技术领域,特别是一种芯片供电方法及芯片。

背景技术

对于规模庞大的高性能的FPGA的芯片,出现功耗过大的问题是不可避免的,并且巨大的热量可能会对芯片造成严重的,不可恢复的破坏。FPGA芯片内部存在大量的配置存储器,配置存储器的电源耗散是芯片热量的重要来源。配置存储器的电源电压一般由一个或几个LDO提供。有的设计为了节省功耗,会将配置存储器分片使用,用多个LDO控制,不用的部分关掉电源,这样配置存储器的数据也就丢失了。还有的设计为了节省功耗降低了配置存储器电源电压,对于单纯用于存储数据的配置存储器来说,这是个不错的方法,同时降低电源电压还有利于数据的写入。但是FPGA芯片中的配置存储器给FPGA逻辑阵列中的NMOS的传输管提供栅极电压,电压过低会导致数据传输性能和速度下降。

图1为采用现有技术供电方法的时序图,如图1所示,现有LDO供电方法包括初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段。Power为电源电压;LDO_PDB为LDO开启信号(LDO_PDB=0时LDO关闭,LDO_PDB=1时LDO开启);VC为LDO输出电压;cwrite为配置存储器写入信号;cclk为时钟信号。

上述现有时序中,VC在初始化阶段,编程阶段,用户使用阶段都输出稳定的1.2v电压给配置存储器,这样在编程阶段配置存储器会消耗较大电流,用户使用阶段数据传输性能和速度一般。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术存在的上述不足,提供基于配置存储器的FPGA芯片配置方法,实现在FPGA配置过程中消耗极低功耗,并在正常工作中提高工作性能的方法。

为实现上述目的,第一方面,本发明提供一种芯片供电方法,配置存储器给NMOS传输门提供配置电压,LDO电路为芯片供电,该方法包括:

确定芯片的工作状态从初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第一状态改变到初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第二状态;

根据芯片的工作状态,调节配置位,调节LDO电路的输出电压。

优选地,第一状态是初始化阶段,LDO电路的输出电压是第一电压;第二状态是编程阶段,调节LDO电路的输出电压包括将第一电压改变为第二输出电压。

优选地,第一状态是编程阶段,LDO电路的输出电压是第二电压;第二状态是用户使用阶段,调节LDO电路的输出电压包括将第二电压改变为第三输出电压。

优选地,调节配置位,调节LDO电路的输出电压的步骤,具体包括:

通过调节配置位,调节LDO电路的可变电阻的阻值,控制LDO的输出电压。

第二方面,本发明提供一种芯片,该芯片包括:

NMOS传输门;

配置存储器,配置存储器给NMOS传输门提供配置电压;和

LDO电路,为芯片供电;

其中,芯片确定芯片的工作状态从初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第一状态改变到初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第二状态;芯片根据芯片的工作状态,调节配置位;LDO根据调节后的配置位,调节LDO电路的输出电压。

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