[发明专利]一种芯片供电方法及芯片有效
| 申请号： | 201580000993.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106797179B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周雪萍;陈子贤;薛庆华 | 申请（专利权）人： | 京微雅格（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156;G06F1/26 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 北京市大兴区北京经济技术开发区地盛*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 供电 方法 | ||
1.一种芯片供电方法，应用于配置存储器给NMOS传输门提供配置电压，LDO电路为芯片供电，其特征在于，所述方法包括：
确定所述芯片的工作状态从初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第一状态改变到初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第二状态；
根据所述芯片的工作状态，调节配置位，调节所述LDO电路的输出电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一状态是初始化阶段，所述LDO电路的输出电压是第一电压；所述第二状态是编程阶段，所述调节所述LDO电路的输出电压包括将第一电压改变为第二输出电压。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一状态是编程阶段，所述LDO电路的输出电压是第二电压；所述第二状态是用户使用阶段，所述调节所述LDO电路的输出电压包括将第二电压改变为第三输出电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调节配置位，调节所述LDO电路的输出电压的步骤，具体包括：
通过调节配置位，调节所述LDO电路的可变电阻的阻值，控制所述LDO的输出电压。
5.一种用于SRAM的供电芯片，其特征在于，所述芯片包括：
NMOS传输门；
配置存储器，所述配置存储器给所述NMOS传输门提供配置电压；和
LDO电路，为所述芯片供电；
其中，所述芯片确定所述芯片的工作状态从初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第一状态改变到初始化阶段、编程阶段和用户使用阶段中的第二状态；芯片根据所述芯片的工作状态，调节配置位；LDO根据调节后的配置位，调节所述LDO电路的输出电压。
6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，
所述第一状态是初始化阶段，所述LDO电路的输出电压是第一电压；所述第二状态是编程阶段，所述调节所述LDO电路的输出电压包括将第一电压改变为第二输出电压。
7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，
所述第一状态是编程阶段，所述LDO电路的输出电压是第二电压；所述第二状态是用户使用阶段，所述调节所述LDO电路的输出电压包括将第二电压改变为第三输出电压。
8.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述芯片是FPGA芯片。
9.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，工作状态的切换通过芯片配置的方式实现。
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