[实用新型]供体膜结构有效
申请号: | 201521088211.1 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN205231120U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 蔡伟民 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供体 膜结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机发光显示装置领域,特别是涉及一种供体膜结构。
背景技术
随着科技的发展,有机发光显示装置作为一种利用有机半导体材料制成的、 用直流电压驱动的薄膜发光器件,广泛应用于电视机、移动通信设备等多种电 子设备。有机发光显示装置包括有机发光层、空穴注入层、电子传输层等各种 有机层。有机层的制造可采用喷墨印刷、沉积工艺、激光热转印等实现。
在激光热转印工艺中,通过供体膜在有机发光显示装置的显示基底上形成 有机发光层,之后再将供体膜基底剥离。而在剥离供体膜基底的过程中,可能 会导致转印的有机材料遭到破坏,从而发生有机发光显示装置的像素故障。
实用新型内容
基于此,有必要针对剥离供体膜基底的过程中导致有机材料遭到破坏的问 题,提供一种在玻璃供体膜基底的过程中不会破坏有机材料的供体膜结构。
一种供体膜结构,用于将有机层材料转印至显示基底,所述供体膜结构包 括供体膜及肋条结构,所述供体膜包括依次层叠设置的基底、光热转换层及转 印层,所述肋条结构嵌设于所述转印层中。
上述供体膜结构,所述肋条呈中空结构,所述肋条的端部开设有用于通入 气体的通气口,所述肋条的侧壁开设有用于释放所述气体的通气孔,所述通气 孔位于所述肋条远离所述供体膜的一侧,可通过肋条结构在供体膜与显示基底 之间释放气体或通电而升温,而降低供体膜中的转印层与基底之间的粘接强度, 使已将有机层材料转印至显示基底的供体膜结构易于从显示基底上剥离,从而 避免了转印后直接剥离供体膜结构对转印至显示基底上的有机层材料的破坏。
在其中一个实施例中,所述肋条结构包括多条肋条,多条所述肋条相互交 叉呈网状结构。
在其中一个实施例中,所述肋条呈中空结构,所述肋条的端部开设有用于 通入气体的通气口,所述肋条的侧壁开设有用于释放所述气体的通气孔,所述 通气孔位于所述肋条远离所述供体膜的一侧。
在其中一个实施例中,所述基底一侧设有第一凹槽。
在其中一个实施例中,所述光热转换层形成于所述基底设有第一凹槽的一 侧并填充所述第一凹槽,在所述光热转换层远离所述基底的一侧与所述第一凹 槽对应的位置设有第二凹槽。
在其中一个实施例中,所述转印层设有所述有机层材料,形成于所述光热 转换层设有所述第二凹槽的一侧并填充所述第二凹槽,所述转印层在远离所述 光热转换层的一侧与所述第二凹槽对应的位置设有第三凹槽;所述肋条结构收 容于所述第三凹槽中。
在其中一个实施例中,所述第一凹槽包括沿第一方向延伸的第一方向凹槽 及沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第二方向凹槽,且所述第一方向凹 槽与所述第二方向凹槽交叉设置。
在其中一个实施例中,相邻的所述第一方向凹槽之间及相邻的所述第二方 向凹槽之间的间隔对应所述显示基底上的亚像素区域或数个所述亚像素区域。
在其中一个实施例中,所述肋条结构包括与所述第一方向凹槽对应设置的 第一方向肋条及与所述第二方向凹槽对应设置的第二方向肋条。
在其中一个实施例中,所述基底包括被所述第一凹槽限定的第一区域、第 二区域及第三区域,所述第一区域对应于红色发光材料形成区域,所述第二区 域对应于绿色发光材料形成区域,所述第三区域对应于蓝色发光材料形成区域。
附图说明
图1为一实施方式的供体膜结构的结构示意图;
图2为图1所示的供体膜结构的基底的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面 的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是,本实用新型可以以 许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实 施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一 个元件上或者也可以为存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个 元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时为存在居中元件。本文所 使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明 的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择