[实用新型]供体膜结构有效
申请号: | 201521088211.1 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN205231120U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 蔡伟民 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供体 膜结构 | ||
1.一种供体膜结构,用于将有机层材料转印至显示基底,其特征在于,所 述供体膜结构包括供体膜及肋条结构,所述供体膜包括依次层叠设置的基底、 光热转换层及转印层,所述肋条结构嵌设于所述转印层中。
2.根据权利要求1所述的供体膜结构,其特征在于,所述肋条结构包括多 条肋条,多条所述肋条相互交叉呈网状结构。
3.根据权利要求2所述的供体膜结构,其特征在于,所述肋条呈中空结构, 所述肋条的端部开设有用于通入气体的通气口,所述肋条的侧壁开设有用于释 放所述气体的通气孔,所述通气孔位于所述肋条远离所述供体膜的一侧。
4.根据权利要求1所述的供体膜结构,其特征在于,所述基底一侧设有第 一凹槽。
5.根据权利要求4所述的供体膜结构,其特征在于,所述光热转换层形成 于所述基底设有第一凹槽的一侧并填充所述第一凹槽,在所述光热转换层远离 所述基底的一侧与所述第一凹槽对应的位置设有第二凹槽。
6.根据权利要求5所述的供体膜结构,其特征在于,所述转印层设有所述 有机层材料,形成于所述光热转换层设有所述第二凹槽的一侧并填充所述第二 凹槽,所述转印层在远离所述光热转换层的一侧与所述第二凹槽对应的位置设 有第三凹槽;所述肋条结构收容于所述第三凹槽中。
7.根据权利要求4所述的供体膜结构,其特征在于,所述第一凹槽包括沿 第一方向延伸的第一方向凹槽及沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第二 方向凹槽,且所述第一方向凹槽与所述第二方向凹槽交叉设置。
8.根据权利要求7所述的供体膜结构,其特征在于,相邻的所述第一方向 凹槽之间及相邻的所述第二方向凹槽之间的间隔对应所述显示基底上的亚像素 区域或数个所述亚像素区域。
9.根据权利要求7所述的供体膜结构,其特征在于,所述肋条结构包括与 所述第一方向凹槽对应设置的第一方向肋条及与所述第二方向凹槽对应设置的 第二方向肋条。
10.根据权利要求7所述的供体膜结构,其特征在于,所述基底包括被所 述第一凹槽限定的第一区域、第二区域及第三区域,所述第一区域对应于红色 发光材料形成区域,所述第二区域对应于绿色发光材料形成区域,所述第三区 域对应于蓝色发光材料形成区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择