[实用新型]晶硅太阳能电池及其正面电极有效
申请号: | 201520976514.0 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN205264719U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 郑璐;何凤琴 | 申请(专利权)人: | 黄河水电光伏产业技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 810007 *** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 正面 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及新能源技术领域,具体涉及一种晶硅太阳能电池的正面电极以及包含该正面电极的太阳能电池。
背景技术
随着太阳能光伏产业迅速发展,市场对光伏产品提出了更高的要求,各种高效电池结构应运而生,丝网印刷技术是目前主流的电极制作的方法。晶硅太阳能电池的正面电极中,电极结构通常包括纵横交错的主栅线和副栅线,主栅线与副栅线电性相连,副栅线主要用于收集太阳能电池产生的光生电流,主栅线用于将副栅线收集的电流汇集输出。不论是P型或是N型电池,只要电池正面存在电极结构,就需要考虑到电极结构的不断优化,以达到既减小遮光面积又保证电流顺利导出的目的。
图1是现有的一种正面电极的结构示意图。如图1所示,该正面电极包括纵横交错的电性连接的主栅线1和副栅线2,主栅线1的数量通常为3条,副栅线2的数量通常为70~100条。其中,主栅线1包括多个间隔排列的较宽栅线主体1a以及较窄栅线主体1b。其中,栅线主体1a的宽度较大,主要用于后期电池的焊接,宽度大焊接面积大,焊带与电池之间拉脱力大,焊接更牢固;栅线主体1b的宽度较小,可以减小遮光面积和降低银浆耗量。但是,在如上结构的正面电极中,如图2所示,在栅线主体1a和1b的连接处,主栅线1的宽度发生突变,不利于电流的传输,限制了电池的效率。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池的正面电极,通过对主栅线结构的改进,实现既能减小遮光面积又保证电流顺利导出,提高电池效率。
为了达到上述的目的,本实用新型采用了如下的技术方案:
一种晶硅太阳能电池的正面电极,包括沿第一方向平行排列的多条主栅线,其中,每一条主栅线包括依次连接的多个主栅线段,所述主栅线段包括宽度最大区以及位于宽度最大区两端的宽度渐变区,所述宽度渐变区的宽度从连接于所述宽度最大区的一端开始朝向端部逐渐变小。
其中,所述宽度渐变区的宽度呈线性连续渐变或抛物线型连续渐变。
其中,所述宽度最大区的宽度为0.4~1.2mm;所述宽度渐变区的最大宽度与所述宽度最大区的宽度相同,最小宽度为0.05~0.5mm。
其中,位于所述主栅线的首端和末端的宽度渐变区,其宽度从连接于宽度最大区的一端开始朝向端部逐渐变小至0,形成尖端。
其中,所述主栅线段的数量为4~20,每一主栅线段的长度为8~40mm。
其中,所述主栅线段中的宽度最大区呈方形形状。
其中,所述宽度最大区的长度为0~10mm,所述宽度渐变区的长度为3~20mm,并且,所述宽度渐变区的长度大于所述宽度最大区的长度。
其中,所述主栅线的数量为4~10条,每条主栅线的长度为130~160mm。
其中,所述正面电极还包括沿第二方向平行排列的多条副栅线,所述多条副栅线与所述多条主栅线相互电性连接;其中,第二方向与第一方向相互垂直所述副栅线的数量为70~150条,所述副栅线的长度为100~160mm,宽度为20~60μm。
本实用新型还提供了一种晶硅太阳能电池,其包括如上所述的正面电极。
相比于现有技术,本实用新型提供的晶硅太阳能电池的正面电极中,其中的主栅线包括交替间隔设置的宽度较大部分和宽度较小部分,宽度较大部分主要用于后期电池的焊接,宽度大焊接面积大,焊带与电池之间拉脱力大,焊接更牢固;宽度较小部分可以减小遮光面积和降低银浆耗量。并且,宽度较大部分和宽度较小部分的连接处的宽度呈渐变变化,使得电流在主栅线中的传输更加顺利,提高了电池效率。
附图说明
图1是现有的一种正面电极的结构示意图;
图2是如图1的正面电极主栅线的宽窄变化段连接处的放大示意图;
图3是本实用新型实施例提供的正面电极的结构示意图;
图4是本实用新型实施例提供的正面电极中主栅线的结构示意图;
图5是如图4中A部分的主栅线段的放大示意图;
图6是如图4中B部分的主栅线段的放大示意图;
图7是本实用新型实施例中主栅线的几种图形设计的示例性图示。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本实用新型。应理解,这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解,在阅读了本实用新型讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的