[实用新型]一种横向沟槽结构的同位素电池有效
| 申请号： | 201520912516.3 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN205140532U | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谷文萍;高攀;张赞;张林 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 沟槽 结构 同位素 电池 | ||
1.一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，包括由SiC基片构成的衬底(1)，衬 底(1)上部设置有N型SiC外延层(2)，所述N型SiC外延层(2)上设有若干个台阶，相 邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区(3)， N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端设置有N型欧姆接触电极(5)，所述N型欧姆接触电极(5) 两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源(7)；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC 欧姆接触掺杂区(4)，P型SiC欧姆接触掺杂区(4)的上部设置有P型欧姆接触电极(6)。
2.根据权利要求1所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述N型SiC 外延层(2)上的台阶高度为5μm～15μm，台阶宽度为10μm～20μm，台阶之间的间距为2μm～5μm。
3.根据权利要求2所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述N型SiC 外延层(2)的整体厚度为10μm～30μm。
4.根据权利要求1所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述P型欧姆 接触电极(6)形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区(4)形状相同。
5.根据权利要求4所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述P型SiC 欧姆接触掺杂区(4)和所述P型欧姆接触电极(6)的宽度均与台阶间距相同。
6.根据权利要求5所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述P型欧姆 接触电极(6)包括从下而上依次设置的Ni层和Pt层构成，所述Ni层的厚度为200nm～400nm， 所述Pt层的厚度为50nm～200nm。
7.根据权利要求1所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述N型欧姆 接触电极(5)的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区(3)形状相同。
8.根据权利要求7所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述N型SiC 欧姆接触掺杂区(3)和所述N型欧姆接触电极(5)的宽度均为0.5μm～2μm。
9.根据权利要求8所述的一种横向沟槽结构的同位素电池，其特征在于，所述N型欧姆 接触电极(5)包括从下而上依次设置的Ni层和Pt层，所述Ni层的厚度为200nm～400nm， 所述Pt层的厚度为50nm～200nm。
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