[实用新型]一种EEPROM均匀磨损控制系统

说明书

技术领域

本实用新型属于存储器控制领域，特别涉及的是一种EEPROM均匀磨损控制系统。

背景技术

EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，E²PROM)即电子擦除式只读存储器，它是一种非易失性存储器。与擦除式只读存储器(EPROM)类似，断电后储存的数据依然存在。如果要消除储存在EEPROM中存储的数据，无需采用紫外线照射这样复杂的方式，而只需以电子信号直接消除即可。正是由于EEPROM具有以上非易失可电擦除的特点，该器件广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求高的应用场合，如医疗、图像、智能家电、航空、航天应用场合。对于EEPROM来说，一般需要承受多次擦写，而且擦写时隧道氧化层要承受高压(18伏左右)和高电场(107V/cm)，目前，业内常用的EEPROM使用寿命一般在1万次至10万次左右。如3DEE4M08VS4145的寿命在1万次左右，该芯片具有很好的抗辐射、抗闩锁等空间应用特性，被广泛的应用于宇航产品中。因此，EEPROM的使用寿命成为限制产品使用寿命的瓶颈，尤其是不可维修性的产品。

实用新型内容

本实用新型所要解决的目的是提供一种EEPROM均匀磨损控制系统，可以大幅延长EEPROM使用寿命。

为解决上述问题，本实用新型提出一种EEPROM均匀磨损控制系统，包括控制器和用以存储控制字及控制参数的存储器；所述控制器包括控制模块、存取模块和参数管理模块；

其中，参数管理模块用以，根据控制模块生成的断点存储地址读取所述存储器中的控制参数，并进行相邻存储地址下的参数一致性比对，根据控制参数不一致或各存储地址下的控制参数完全一致而定位存储分区地址，或在被动控制模式下读取状态寄存器中的断点存储地址，及实现控制模块和存储器之间的数据交换；

控制模块用以，通过参数管理模块获取控制字，并判断控制字的模式状态位，在自动控制模式下产生一所述断点存储地址，及根据参数管理模块定位的存储分区地址控制存取模块更新EEPROM在该存储分区地址中的数据。

根据本实用新型的一个实施例，所述控制器还包括人机接口，控制模块通过人机接口的输入而定位存储分区地址；所述控制模块判断控制字的模式状态位，在被动控制模式下，获取人机接口定位的存储分区地址控制存取模块更新EEPROM在该存储分区地址中的数据。

根据本实用新型的一个实施例，参数管理模块的参数一致性比对，若存储器的俩相邻存储地址下的参数不一致，则检测参数位是否溢出，并在溢出时生成溢出信号。

根据本实用新型的一个实施例，所述存储器包括用以存储控制字的控制字状态寄存器和用以存储参数的参数存储器。

根据本实用新型的一个实施例，所述控制字和控制参数由所述控制器更新。

根据本实用新型的一个实施例，所述控制器由FPGA实现。

根据本实用新型的一个实施例，还包括供电电源，其包括DC/DC转换模块和线性稳压器，所述DC/DC转换模块连接外部电源并进行电压转换，所述线性稳压器接收DC/DC转换模块转换后的电压，并进行稳压后给控制系统供电。

根据本实用新型的一个实施例，还包括晶体振荡器，提供控制系统运行所需的时钟频率参考源。

采用上述技术方案后，本实用新型相比现有技术具有以下有益效果：通过控制模块产生EEPROM的存储分区地址，在需要更新数据的时候，将数据存放到该指定的存储分区地址中，能够实现EEPROM器件的均匀磨损，不会使得某一存储区被擦写过度而另一存储区域擦写过少，可延长EEPROM的使用寿命。这一点对于无法进行器件更换的产品尤为重要(如卫星、深空探测器等)，可以保证数据的正确性,提高了产品的可靠性,降低了产品的成本。

此外，存储分区地址还可通过人机接口由人工指定，存取模块根据指定的存储分区地址进行EEPROM相应地址中的数据更新，使得分区存储更灵活，延长EEPROM的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例的EEPROM均匀磨损控制系统的结构框图。

图2为本实用新型一个实施例的EEPROM均匀磨损控制系统的控制方法流程示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。