[实用新型]一种用于多晶硅片清洗的花篮

说明书

技术领域

本实用新型属于光伏多晶硅片切割清洗领域，具体涉及一种用于多晶

硅片清洗的花篮。

背景技术

多晶硅片清洗，其原理可用“空化”现象来解释：即超声波振动在液体中传播的音波压强达到一个大气压时，其功率密度为0.35瓦/厘米，这时超声波的音波压强峰值就可达到真空或负压，但实际上无负压存在，因此在液体中产生一个很大的压力，将液体分子拉裂成空洞。此空洞非常接近真空，它在超声波压强反向达到最大时破裂，由于破裂而产生的强烈冲击将硅片表面的污染物撞击下来，这种由无数细小的空化气泡破裂而产生的冲击现象称为“空化现象”，从而达到清洗多晶硅片的目的。

目前，在硅片清洗工序中，主要使用的是超声波清洗，而脱胶后的硅片是叠放在一起，为了保证硅片的清洗效果，硅片在进入超声波清洗机之前，必须将硅片插入清洗花篮中，从而将硅片均匀分开，彻底清洗。

然而，如图4及图5所示的现有的用于多硅片清洗的花篮，一方面，在插片过程中，硅片在滑落至花篮底部的过程中，硅片倒角极易磕碰至靠近花篮底部的两侧挡杆处，从而产生卡片、碎片等不良；另一方面，现有花篮采用的材料及棱边的设计，在超声清洗过程中，硅片在花篮底部的硅片卡槽中来回摆动与花篮底部接触部位进行摩擦，从而产生硅片棱边划痕、棱边缺陷的现象，严重影响了产品的外观及品质，降低了清洗效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服在现有的硅片清洗过程中，多晶花篮在插片及超声波清洗过程中，出现的硅片卡片、碎片及花篮底部的硅片棱边划痕或缺损的问题。

为此，本实用新型提供了一种用于多晶硅片清洗的花篮，包括花篮本体，支撑挡杆，支撑板，插片凹槽，其中,所述花篮本体两侧的插片凹槽均穿有与所述插片凹槽相垂直的支撑挡杆，且所述支撑挡杆与所述插片凹槽与硅片的连接处设有与硅片相适配的倒角。

上述一种用于多晶硅片清洗的花篮，所述花篮本体的两侧均设有两根支撑挡杆，一根设置于距所述花篮本体底部的1/2位置处，另外一根设置于距所述花篮本体底部的3/4位置处。

上述一种用于多晶硅片清洗的花篮，所述支撑板选用软性橡胶材料制成。

本实用新型的有益效果：本实用新型提供的这种用于多晶硅片清洗的

花篮，通过对支撑挡杆位置及其结构的设计，在保证了花篮底部强度的同时，又有效避免了硅片的卡片、碎片等不良现象的发生；通过对花篮底部支撑板的设计，可以减少硅片棱边划痕、棱边缺陷的问题；该用于多晶硅清洗的花篮，清洗效率高，对清洗工作的作业人员提供了极大的便利，具有良好的应用前景及市场价值。

附图说明

以下将结合附图对本实用新型做进一步详细说明。

图1是本实用新型一种用于多晶硅片清洗的花篮的结构示意图。

图2是本实用新型一种用于多晶硅片清洗的花篮的纵截面示意图。

图3是本实用新型一种用于多晶硅片清洗的花篮底部的结构示意图。

图4是现有的用于多硅片清洗的花篮的纵截面示意图。

图5是现有的用于多硅片清洗的花篮底部的结构示意图。

附图标记说明：1、花篮本体；2、支撑挡杆；3、支撑板；4、插片凹槽。

具体实施方式

为进一步阐述本实用新型达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本实用新型的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。

如图1所示，一种用于多晶硅片清洗的花篮的结构示意图，包括花篮本体1，支撑挡杆2，支撑板3，插片凹槽4，其中，支撑板3选用软性橡胶材料制成；花篮本体1两侧的插片凹槽4均穿有与插片凹槽4相垂直的支撑挡杆2，且支撑挡杆2与插片凹槽4与硅片的连接处设有与硅片相适配的倒角；花篮本体1的两侧均设有两根支撑挡杆2，一根设置于距花篮本体1底部的1/2位置处，另外一根设置于距花篮本体1底部的3/4位置处。

该种用于多晶硅片清洗的花篮，在硅片脱胶完成后，将硅片插入插片凹槽4中，从而将硅片均匀分开，进而放入超声波清洗机进行清洗；其中，花篮本体1两侧的支撑挡杆2在保证花篮本体1的底部强度不变的同时，又在支撑挡杆2与插片凹槽4与硅片的连接处设有的与硅片相适配的倒角的条件下有效地避免现有的清洗过程中的硅片卡片、碎片等不良现象的发生，而且在一定程度上改善了硅片在接触时硅片倒角受损的问题；此外，由软性橡胶材料制成的支撑板3可以避免硅片底部棱边划痕、棱边缺陷的问题。

以上例举仅仅是对本实用新型的举例说明，并不构成对本实用新型的保护范围的限制，凡是与本实用新型相同或相似的设计均属于本实用新型的保护范围之内。