[实用新型]一种新型加热盘装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型加热盘装置，属于半导体制造技术领域。

背景技术

由于等离子增强化学气相淀积具有淀积温度低、淀积膜针孔密度小、均匀性好、台阶覆盖性好等优点,因此等离子增强化学气相淀积技术在半导体器件和集成电路的研制中，为制作芯片的钝化膜和多层布线间的介质膜，在过去的时间里已得到广泛重视。等离子体设备在沉积薄膜的过程中，为了给反应源提供能量，需要高能量的射频，当腔室中通入这种高能量的离子时，加热盘上表面会由于能量聚集而产生局部燃烧现象，影响半导体等离子体设备的工艺性能。

实用新型内容

本实用新型以解决上述问题为目的，提供一种新型加热盘装置，本实用新型的加热盘在加热盘的底部增加金属垫圈，能够将射频电源发出的电荷通过该种结构接地，使多余电荷导出，从而避免了电荷在加热盘表面聚集形成局部燃烧现象。

为实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案：

一种新型加热盘装置，该加热盘包括加热盘本体，水冷块，金属垫圈，密封圈，金属垫圈安装槽及密封圈安装槽；所述水冷块内部设有金属垫圈安装槽与密封圈安装槽，金属垫圈安装在金属垫圈安装槽内并镶嵌在所述加热盘本体的底部，密封圈安装在密封圈安装槽内，水冷块与加热盘本体通过螺栓连接固定。

所述金属垫圈为空心螺旋形状。

所述密封圈为橡胶密封圈。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过采用金属垫圈与水冷块接触，将射频电源发出的电荷通过该种结构接地，使多余电荷导出，从而避免了电荷在加热盘表面聚集形成arcing，影响半导体等离子体设备的工艺性能，本实用新型的加热盘结构简单，能够有效地防止加热盘上表面由于能量聚集而产生的局部燃烧现象。

附图说明

图1为本实用新型的加热盘结构示意图；

图2为图1的局部放大图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本实用新型进行详细说明，但实用新型保护内容不局限于所述实施例：

实施例1

参照图1-2，一种新型加热盘装置，该加热盘包括加热盘本体1，水冷块2，金属垫圈3，密封圈4，金属垫圈安装槽5及密封圈安装槽6；所述水冷块2内部设有金属垫圈安装槽5与密封圈安装槽6，金属垫圈3安装在金属垫圈安装槽5内并镶嵌在所述加热盘本体1的底部，密封圈4安装在密封圈安装槽6内，水冷块2与加热盘本体1通过螺栓连接固定。

所述金属垫圈3为空心螺旋形状。

所述密封圈4为橡胶密封圈。

使用时，等离子体设备在沉积薄膜时，为了给反应源提供横梁，需要高能量的射频，当腔室中通入这种高能量的离子时，加热盘上表面会由于能量聚集而产生局部燃烧现象，所述的加热盘通过金属垫圈3与水冷块2接触，将射频电源发出的电荷通过该种结构接地,将多余电荷导出，从而避免了电荷在加热盘表面聚集而产生局部燃烧现象。