[实用新型]化学机械抛光装置有效
申请号: | 201520776913.2 | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN205166654U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 金旻成;任桦爀 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/005 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 装置 | ||
1.一种化学机械抛光装置,作为晶片的化学机械抛光装置,其特征在于, 包括:
抛光平板,上表面被抛光垫覆盖并进行自转;
抛光头,在化学机械抛光工序中,一边向所述抛光垫加压所述晶片,一边 使其进行旋转,并向所述抛光垫的具有半径方向成分的方向进行移动;
传感器,固定在所述抛光平板,并与抛光平板一同旋转,并接收具有所述 晶片的抛光层厚度信息的接收信号;
传感器位置检测单元,用于检测固定在所述抛光平板的所述传感器的旋转 位置;以及
控制部,通过从所述传感器位于所述晶片的底面起接收的第一接收信号的 发生位置,检测所述抛光垫上的所述晶片的位置,并从所述晶片的检测位置, 检测对于所述晶片的检测轨迹,并测定所述检测轨迹中的所述晶片的抛光层的 厚度,其中,对于所述晶片的检测轨迹与从所述传感器接收的所述第一接收信 号对应。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
所述传感器位置检测单元为编码器。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
所述传感器为光传感器和涡流传感器中的任意一个以上。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
多个所述传感器分别固定设置在从抛光垫的中心向半径方向隔着不同距 离的位置上。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
所述抛光层厚度包含所述晶片的所述抛光层的厚度变动值。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置,其特征在于,
多个所述传感器分别配置在从所述抛光平板的旋转中心向半径方向隔着 不同距离的位置上。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的化学机械抛光装置,其特征 在于,
所述检测轨迹被确定为连接第一位置和第二位置的形态,并通过反映固定 在所述抛光平板的所述传感器的移动曲率来确定,其中,所述第一位置为,在所 述传感器与所述抛光垫一同旋转一圈的期间内,自从所述传感器位于所述晶片 的底面起,第一次接收所述第一接收信号时的位置;所述第二位置为,所述传 感器向所述晶片的底面外侧脱离时,最后接收所述第一接收信号的位置。
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