[实用新型]一种硅片和太阳能电池片

权利要求书

1.一种硅片，其特征在于，该硅片表面形成有均匀规则分布的多个坑洞。

2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述硅片表面的均匀规则分布的多个坑洞，由以下方法形成：

采用刻蚀的方法，在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞；

形成所述多个坑洞后，去除硅片表面因刻蚀产生的损伤层。

3.根据权利要求2所述的硅片，其特征在于，采用刻蚀的方法，在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞，包括：

采用激光对硅片上表面和/或下表面进行刻蚀，在硅片上表面和/或下表面形成等间距阵列分布的所述多个坑洞；和/或，

采用等离子体对硅片上表面和/或下表面进行刻蚀，在硅片上表面和/或下表面形成均匀规则分布的多个坑洞。

4.根据权利要求3所述的硅片，其特征在于，采用等离子体对硅片上表面和/或下表面进行刻蚀，包括：

采用等离子体，通过在硅片上表面和/或下表面覆盖刻有规则排布孔洞的掩膜，对硅片上表面和/或下表面进行选择性刻蚀。

5.根据权利要求3或4所述的硅片，其特征在于，所述等离子体的气氛采用SF₆和/或CF₄和/或O₂和/或Cl₂和/或Ar气。

6.根据权利要求2所述的硅片，其特征在于，形成所述多个坑洞后，去除硅片表面因刻蚀产生的损伤层，包括：

采用酸溶液或碱溶液对硅片硅片上表面和/或下表面进行腐蚀，去除硅片表面因刻蚀产生的损伤层。

7.根据权利要求6所述的硅片，其特征在于，采用酸溶液或碱溶液对硅片硅片上表面和/或下表面进行腐蚀，包括：

采用按预设浓度稀释的酸溶液或碱溶液，在预设温度条件和时间条件下，对硅片硅片上表面和/或下表面进行湿法腐蚀；所述湿法腐蚀的腐蚀深度为1~5μm。

8.根据权利要求1或2所述的硅片，其特征在于，所述硅片的厚度为180~250μm，和/或，每个坑洞的形状为半球形，和/或，每个坑洞的深度为10~50μm。

9.一种太阳能电池片，其特征在于，该电池采用由权利要求1-8所述的硅片制得。