[实用新型]一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置有效
申请号: | 201520758728.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN204946872U | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 滕宇 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 腐蚀 均匀 装置 | ||
1.一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,包括:
温度监测单元,用于对单片湿法设备中作水平旋转清洗的晶圆表面进行温度监测,并将温度监测数据发送至温度扫描结果处理单元;
脉冲激光加热单元,用于提供垂直并覆盖晶圆整个表面的脉冲激光光束,对晶圆表面进行加热,其脉冲激光光束能量及在脉冲激光光束水平截面内的能量分布可调;
温度扫描结果处理单元,将接收的温度监测数据转化成晶圆表面的实际温度场分布,并与储存的对应工艺所需的理论温度场分布进行比对,判断是否满足工艺所需条件,当不满足时,控制调节脉冲激光加热单元的脉冲激光光束能量在光束水平截面内的对应能量分布高低,以实现脉冲激光加热后实际温度场分布与理论温度场分布相吻合。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述温度监测单元设有计时器,所述计时器用于将从当前晶圆表面温度监测开始后的时间长度与温度监测单元设定的晶圆表面温度监测间隔时间进行比较,并在当监测开始后的时间长度大于或等于设定的监测间隔时间时,触发温度监测单元作新一次的晶圆表面温度监测,同时计时器清零,重新开始计时。
3.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述温度监测单元设于晶圆的上方或斜上方,其探测面积覆盖整个晶圆表面。
4.根据权利要求1~3任意一项所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述温度监测单元为一个温度传感器或多个温度传感器的组合,其通过对晶圆表面进行温度扫描,以对晶圆表面进行温度监测,并将温度监测数据发送至温度扫描结果处理单元。
5.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述脉冲激光加热单元包括依次耦合的脉冲激光器、激光脉冲整形器和激光扩束镜,所述脉冲激光器用于产生脉冲激光光束,其脉冲激光光束的能量可调;所述激光脉冲整形器用于调整脉冲激光光束在脉冲激光光束截面内的能量分布,使经过其加热后的晶圆表面温度场分布与工艺所需的理论温度场分布相吻合;所述激光扩束镜用于将脉冲激光光束进行与晶圆直径相吻合的扩束,同时减少激光光束的发射角。
6.根据权利要求5所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述脉冲激光器、激光脉冲整形器和激光扩束镜之间设有反射镜,用于将脉冲激光器产生的脉冲激光光束引导至晶圆的正上方,并垂直射向晶圆表面。
7.根据权利要求5或6所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述脉冲激光器所产生的脉冲激光波长位于晶圆材料的吸收峰范围内。
8.根据权利要求5或6所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述激光扩束镜设于晶圆的正上方。
9.根据权利要求5或6所述的改善晶圆腐蚀非均匀性的装置,其特征在于,所述激光扩束镜在晶圆的正上方依次设置一至若干个,用于进行一级扩束至多级扩束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造