[实用新型]一种电容式压力传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种压力传感器，特别是一种基于介电应变效应带温度补偿的电容式压力传感器。

背景技术

现有的压力传感器的感应原理主要包括两种：压阻感应和电容感应。压阻感应的原理是：压力作用下，由于膜变形产生的应力导致膜上电阻发生变化。电容感应的原理一般是：将传感器设计成一个电容结构，将电容的其中一个极板设计为可动结构。压力作用下，该可动电极发生形变或位移，使电容间距发生变化，传感器的电容值也随之改变。但这两种压力传感器都存在一些缺陷：(1)压阻式压力传感器：这类压力传感器一般对设计的要求很高，对压敏电阻材料的电阻率、电阻形状以及摆放位置都有严格要求，而且加工工艺的要求也很高，加工时必须保证构成惠斯通电桥的四个压敏电阻阻值完全相等，否则就会导致传感器的零点漂移等问题。此外，压阻式压力传感器的功耗一般比较高。随着物联网技术的发展，无线传感器节点的供电问题对功耗提出了严格的限制，这个要求限制了压阻式压力传感器在物联网中的应用。(2)电容式压力传感器：现有的基于变间距原理的电容式压力传感器虽然具有功耗低，温漂小等特点，但也存在一些的问题。第一个主要问题是结构一般比较复杂，尤其是电极引出问题，并且由于存在一个可动电极，导致封装困难，可靠性较差。第二个主要问题是非线性问题，由于电容值与间距之间的关系是非线性的，导致了电容值与待测压力之间的非线性。由于上述问题的存在，东南大学MEMS教育部重点实验室周闵新等人提出了基于介电应变效应的″三明治″结构电容式压力传感器，可以解决电容式压力传感器电极引出困难和非线性问题，但是该″三明治″电容结构存在着温漂的问题。本实用新型就是针对该结构进行的改进，用于解决传感器的温漂问题。

发明内容

本实用新型提供一种结构简单，加工方便，测量原理新颖的电容式压力传感器，并且该结构解决了由于感压机制的局限性带来的温漂问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种电容式压力传感器，包括形成有压力腔的衬底硅片5，在所述衬底硅片5上方叠置有多个电容器，其中中间电容器的上电极为上面电容器的下电极，中间电容器的下电极为下面电容器的上电极，所述多个电容器的电容介质互不相同。

进一步地，包括对所述衬底硅片5的背面进行各向异性腐蚀而在其正面所形成的硅膜1。

进一步地，所述多个电容器包括第一电容器及第二电容器，其中第一电容器的下电极6系对衬底硅片5或者硅膜1的上表面重掺杂而形成。

进一步地，所述第一电容器的电容介质是；所述第二电容器的电容介质是。

进一步地，还包括所述衬底硅片5背面键合的玻璃3，以形成密封腔。

进一步地，所述第一电容器及第二电容器包括共用电极。

进一步地，多个电容器为并联或串联结构。

本实用新型提出的压力传感器，具有以下有益效果：

(1)基于介电应变效应(在应力或应变的作用下，电容的介质材料的介电常数会发生变化)的感压机制决定了加工出的传感器存在温度效应。本实用新型提出的结构可以进行温度补偿从而解决温漂问题。

(2)本实用新型的加工工艺简单，加工过程不需要用到十分复杂的工艺步骤。

(3)与传统的温度补偿的方法(设计一个形状尺寸相同输出不随压力变化的参考结构)相比，该方案大大减小了芯片面积。此外该结构有两个感压电容，可以将它们并联提高结构的灵敏度。

附图说明

附图1是本实用新型的主视图。

附图2是本实用新型的俯视图。

图中硅膜1，第一绝缘介质2，玻璃3，第一电容的上电极/第二电容的下电极及压焊块4，衬底硅片5，第一电容的下电结6，第二绝缘介质7，第二电容的上电极8，第一电容下电极引出压焊块9，10为第二电容的上电极引出压焊块。

具体实施方式

本实用新型利用介电应变效应。硅膜受压力作用发生形变使得位于其上的两个电容的电介质中产生应力/应变，电介质的介电常数发生变化，传感器的输出电容发生变化，由于这两个电容的值随温度和压力的变化都会发生变化。因此，传感器的两个输出电容采用不同介质，利用它们的温度效应不同，解决温漂问题。测量出的两个电容可以表示成两个与温度和压力相关的量：C1～f₁(P，T)，C2～f₂(P，T)。对两个方程求解，可以反推出测试条件下的气压和温度。

实施例1