[实用新型]在一集成电路中的位准移位器电路及集成电路系统

权利要求书

1.一种在一集成电路中的位准移位器电路，其特征在于，包括：

多个场效晶体管(FET)，其被耦接以提供：

一第一反相器，具有一被配置以接收一具有一第一电源电压的输入信号的输入端口、一输出埠、以及一偏压埠；

一第二反相器，具有一耦接至所述第一反相器的所述输出埠的输入埠、一输出埠、以及一耦接至一第二电源电压的偏压端口；

一二极管接法的场效晶体管，耦接在所述第二电源电压与所述第一反相器的所述偏压埠之间；

一与所述二极管接法的场效晶体管并联的第一场效晶体管，具有一耦接至所述第二反相器的所述输出的闸极；以及

一与所述二极管接法的场效晶体管以及所述第一场效晶体管并联的第二场效晶体管，其具有一被配置以接收一模式选择信号的闸极。

2.根据权利要求1所述的位准移位器电路，其特征在于，其中所述第一反相器以及所述第二反相器中的每一个包含耦接在所述个别的偏压端口与一参考电压之间的一对互补金属氧化物半导体CMOS的场效晶体管。

3.根据权利要求1所述的位准移位器电路，其特征在于，

所述二极管接法的场效晶体管包括一N型金属氧化物半导体NMOS场效晶体管，其具有耦接至所述第二电源电压的一闸极以及一汲极、以及一耦接至所述第一反相器的所述偏压埠的源极；

所述第一场效晶体管包括一第一P型金属氧化物半导体PMOS场效晶体管，其具有一耦接至所述第二电源电压的源极、以及一耦接至所述N型金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极的汲极；以及

所述第二场效晶体管包括一第二P型金属氧化物半导体场效晶体管，其具有一耦接至所述第二电源电压的源极、以及一耦接至所述第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的所述汲极以及所述N型金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极的汲极。

4.根据权利要求1所述的位准移位器电路，其特征在于，其中所述第二场效晶体管的所述闸极耦接至所述集成电路的一记忆体电路，以接收所述模式选择信号。

5.根据权利要求4所述的位准移位器电路，其特征在于，其中所述集成电路的所述记忆体电路被组态设定以静态地驱动所述模式选择信号至一逻辑高的值或是逻辑低的值中的一个。

6.根据权利要求1所述的位准移位器电路，其特征在于，所述第二场效晶体管的所述闸极耦接至所述集成电路的一控制电路以接收所述模式选择信号，其中所述控制电路被组态设定以动态地驱动所述模式选择信号在逻辑高的值或是逻辑低的值之间。

7.一种集成电路系统，其特征在于，包括：

被配置在复数个电压域下的多个集成电路，所述多个集成电路的至少一集成电路具有多个单一电源的位准移位器电路，其各自包含：

一第一反相器，其具有一被配置以接收一具有一在所述多个电压域的一个电压域中的电源电压的输入信号的输入端口、一输出埠、以及一偏压埠；

一第二反相器，其具有一耦接至所述第一反相器的所述输出埠的输入埠、一输出埠、以及一耦接至在所述复数个电压域的另一个电压域中的另一电源电压的偏压端口；

一二极管接法的场效晶体管，其耦接在所述另一电源电压与所述第一反相器的所述偏压埠之间；

一与所述二极管接法的场效晶体管并联的第一场效晶体管，其具有一耦接至所述第二反相器的所述输出的闸极；以及

一与所述二极管接法的场效晶体管以及所述第一场效晶体管并联的第二场效晶体管，其具有一被配置以接收一模式选择信号的闸极。

8.根据权利要求7所述的集成电路系统，其特征在于，进一步包括：

一第一集成电路，其包含一在所述复数个电压域的一第一电压域中的发送器，所述发送器被配置以提供一具有所述第一电压域的一第一电源电压的信号；以及

一第二集成电路，其包含一在所述多个电压域的一第二电压域中的接收器，所述接收器包含所述复数个单一电源的位准移位器电路中的一第一单一电源的位准移位器电路，其中在所述多个电压域的所述一个电压域中的所述电源电压是在所述第一电压域中的所述第一电源电压，并且在所述多个电压域的所述另一个电压域中的所述另一电源电压是在所述第二电压域中的所述第二电源电压。