[实用新型]一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置有效
申请号: | 201520642859.2 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN204885202U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 张淋;程强强 | 申请(专利权)人: | 苏州宝馨科技实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 215151 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电池 刻蚀 保护装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能量转换的光电元件,它可以在太阳光的照射下,把光的能量转换成电能,从而实现光伏发电。生产电池片的工艺比较复杂,一般要经过切片、制绒、扩散、刻蚀、去磷硅玻璃清洗、沉积减反射膜、丝网印刷、烧结和测试等主要步骤。
刻蚀最简单最常用分类是:干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见,它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。电池片每经过一次化学品,都会经过一次水喷淋清洗,因此在该工序中较广泛使用喷淋结构,且有些情况下要求较高水压进行喷淋。现有技术中使用小泵浦抽水,然后通过许多细小的独立喷嘴将水喷洒到电池片表面,该技术存在结构复杂、成本较高、喷洒不均匀等缺陷。
鉴于此,有必要研制一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置,利用纯水管路的压力,采用大角度低流量喷嘴对电池片表面直接进行喷洒,无需额外的泵浦,能够实现结构简单、需求压力低、喷洒效果好、节省水量和适合批量生产的有益效果。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置,采用大角度低流量喷嘴对电池片表面直接进行喷洒,无需额外的泵浦,能够实现结构简单、需求压力低、喷洒效果好、节省水量和适合批量生产的有益效果。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置,包括喷淋机构和传动机构,所述喷淋机构包括导液管、喷嘴、阀门和传感器,所述喷嘴安装在所述导液管上,所述喷嘴的数量为1个或多个,所述传感器固定在导液管上,并位于所述喷嘴一侧,所述传感器控制所述阀门的开启或闭合,所述传动机构位于所述喷嘴下方,所述传动机构托载晶硅电池片。
优选地,所述喷嘴在所述导液管表面呈直线排列,所述喷嘴的喷洒方向正对所述传动机构。
优选地,所述喷嘴为低压扇形小流量喷嘴,工作压力为0.01~0.02MPa,喷洒角为90°~130°。
具体地,所述传动机构为滚轮,所述喷嘴与所述滚轮的垂直高度为40~80mm。
优选地,所述喷嘴沿晶硅电池片运动方向的喷洒覆盖面宽度大于晶硅电池片宽度。
优选地,所述阀门调节喷水流量的大小。
进一步地,所述传感器为位置传感器。
本实用新型的一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置,具有如下有益效果:
1.本实用新型的一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置采用低压扇形小流量喷嘴,利用导液管中本身的水压工作,无需额外施加压力,且喷洒覆盖面较大,能够保证喷洒效果均匀。
2.本实用新型的一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置采用传感器控制喷嘴工作状态,当传动机构上没有晶硅电池片时,喷嘴停止工作,同时,采用阀门控制喷嘴喷水流量大小,达到节省用水的目的。
3.本实用新型的一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置结构简单,成本较低,适合批量生产,具有很好的市场推广价值。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它附图。
图1是本实用新型一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置的结构示意图;
图2是本实用新型一种用于晶硅电池片刻蚀的水膜保护装置实施例中喷嘴布局示意图;
图中:1-导液管,2-喷嘴,3-阀门,4-传动机构,5-传感器。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的