[实用新型]电子设备

说明书

技术领域

本披露涉及一种电子设备。

背景技术

集成电路对晶体管进行密集封装的发展是令人期望的。允许在集成电路(IC)中将晶体管紧密封装在一起的已成熟的一项技术是深亚微米技术。然而，即使在同一晶片上使用相同的制造工艺制造的不同的集成电路(IC)的性能各不相同。

在一些场景下，在同一IC上的MOS晶体管的阈值可能更高，这导致了针对该IC的最大稳定工作频率的下降以及更低的漏电流。在其他场景下，在同一IC上的MOS晶体管的阈值可能更低，这导致了针对该芯片的最大稳定工作频率的上升，代价是产生更高的漏电流。

通过对MOS晶体管的本体进行固定偏置，可以设置其阈值，由此可能允许调节IC的工作频率与漏电流的大小之间的平衡。尽管这是一项有用的技术，在一些场景下，进一步地控制MOS晶体管的阈值会是令人期望的。因而，用于对MOS晶体管的本体进行偏置的技术的进一步发展是需要的。

实用新型内容

提供该概述以引入对以下进一步描述的在详细描述中的概念的选择。该概述并非旨在指明所要求保护的主题的关键或重要特征，也并非旨在用作限制所要求保护的主题的范围的辅助手段。

在此披露的一种电子设备包括具有本体的晶体管和本体偏置电路。本体偏置电路包括被配置成用于估计晶体管的阈值电压的阈值估计电路、和被配置成用于将晶体管的阈值电压与参考阈值电压进行比较并基于此产生比较信号的比较电路。本体偏置电路还包括偏置调整电路，该偏置调整电路被配置成用于根据比较信号产生对晶体管的本体进行偏置的本体偏置电压，本体偏置电压是当其被施加于晶体管的本体上时将其阈值电压调整为等于参考阈值电压的电压。

电子设备可以包括附加晶体管和附加本体偏置电路。附加本体偏置电路可以包括被配置成用于估计附加晶体管的阈值电压的附加阈值估计电路、和被配置成用于将附加晶体管的阈值电压与附加参考阈值电压进行比较并基于此产生附加比较信号的附加比较电路。附加偏置调整电路可以被配置成用于根据附加比较信号产生附加对附加晶体管的本体进行偏置的本体偏置电压，附加本体偏置电压是当其被施加于附加晶体管的本体上时将其阈值电压调整为等于附加参考电压的电压。

偏置调整电路可以响应于指示阈值电压大于参考阈值电压的比较信号对晶体管的本体进行正向偏置。

晶体管可以是具有源极和本体的PMOS晶体管，并且偏置调整电路可以通过将本体偏置电压设置成小于在PMOS晶体管的源极处的电压从而对PMOS晶体管的本体进行正向偏置。

晶体管可以是具有源极和本体的NMOS晶体管，并且偏置调整电路可以通过将本体偏置电压设置成高于在源极处的电压从而对NMOS晶体管的本体进行正向偏置。

偏置调整电路可以响应于指示阈值电压小于参考阈值电压的比较信号对晶体管的本体进行反向偏置。

晶体管可以是具有源极和本体的PMOS晶体管，并且偏置调整电路可以通过将本体偏置电压设置成高于在源极处的电压从而对PMOS晶体管的本体进行反向偏置。

该至少一个MOS晶体管可以是NMOS晶体管，并且偏置调整电路可以通过将本体偏置电压设置成小于在源极处的电压从而对本体进行反向偏置。

电子设备可以包括具有本体的附加晶体管和被配置成用于估计附加晶体管的阈值电压的附加阈值估计电路。比较电路可以被配置成用于将附加晶体管的阈值电压与附加参考阈值电压进行比较并基于此产生附加比较信号。偏置调整电路还可以被配置成用于根据附加比较信号产生对附加晶体管的本体进行偏置的附加本体偏置电压，附加本体偏置电压是当其被施加于附加晶体管的本体上时将其阈值电压调整为等于附加参考电压的电压。

偏置调整电路可以产生本体偏置电压和附加本体偏置电压，这样使得晶体管的阈值电压和附加晶体管的阈值电压相等。

偏置调整电路可以产生本体偏置电压和附加本体偏置电压，这样使得晶体管的阈值电压和附加晶体管的阈值电压不相等。

阈值估计电路可以包括副本电路和采样保持电路，该副本电路被配置成用于接收本体偏置电压作为反馈并产生副本晶体管的栅源电压的副本，该采样保持电路被配置成用于存储响应于第一和第二时钟以及第一和第二参考电流的晶体管的栅源电压的副本从而获得第一和第二副本栅源电压。积分电路可以被配置成用于对第一副本栅源电压和第二副本栅源电压之差求积分从而产生晶体管的估计阈值电压。