[实用新型]晶圆级封装装置

权利要求书

1.一种晶圆级封装装置，其特征在于，所述装置包括：

部分完成的半导体衬底，所述半导体衬底包括多个单晶声谐振器设备，每 个所述设备具有第一电极部件、第二电极部件和覆盖的钝化材料；

对于待配置外部连接的至少一个所述设备，覆盖所述钝化材料的再钝化材 料，所述再钝化材料具有使所述第一电极部件暴露的第一区域和使所述第二电 极部件暴露的第二区域；

下部金属材料，所述下部金属材料覆盖所述再钝化材料且覆盖所述第一区 域和所述第二区域，使得所述第一电极部件和所述第二电极部件均与所述下部 金属材料电气和物理接触；

铜柱互连结构，所述铜柱互连结构被配置成使用沉积工艺填充所述第一区 域和所述第二区域，以形成覆盖所述第一电极部件的第一铜柱结构和覆盖所述 第二电极部件的第二铜柱结构；以及

覆盖所述第一铜柱结构的第一焊接凸块结构和覆盖所述第二铜柱结构的第 二焊接凸块结构，用于待被配置所述外部连接的所述单晶声谐振器设备。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，各所述设备包括：

衬底部件、表面区域和背侧区域；

外延材料，所述外延材料包括单晶压电材料，所述单晶压电材料覆盖所述 表面区域至期望厚度；

沟槽区域，所述沟槽区域用于通过在所述外延材料中设置的图案来形成所 述表面区域的暴露部分；

在所述沟槽区域的附近内且覆盖所述表面区域的所述暴露部分的顶侧接合 焊盘金属，所述第一电极部件覆盖所述外延材料的一部分，所述第二电极部件 覆盖所述顶侧接合焊盘金属；

背侧沟槽区域，所述背侧沟槽区域使覆盖所述第一电极部件的所述外延材 料的背侧暴露，且使所述接合焊盘金属的背侧和覆盖所述外延材料的背侧的背 侧谐振器金属材料暴露，以形成从所述外延材料到所述接合焊盘金属的背侧的 连接，从而联接至覆盖所述顶侧接合焊盘金属的所述第二电极部件。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下部金属材料包括含钛 和含铜材料。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下部金属材料包括含钛 和含铜材料；

其中，所述下部金属材料具有厚度。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述部分完成的半导体衬底 被配置成在第一单个芯片上设置来自所述多个单晶声谐振器设备中的一个单晶 声谐振器设备，或被配置成设置在第二单个芯片上设置的两个、三个、五个、 七个或九个单晶声谐振器设备；

其中，各焊接凸块被配置在所述单个芯片的外围区域上。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下部金属材料包括溅射 沉积的下部金属材料。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括柔性胶带部 件。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

安装衬底部件；以及

覆盖各所述设备的模制材料。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

安装衬底部件；以及

覆盖各所述设备的模制材料；

其中，所述部分完成的半导体衬底被配置到所述安装衬底且封装在所述模 制材料中。

10.一种晶圆级封装装置，其特征在于，所述装置包括：

安装衬底部件，所述安装衬底部件是光学透明的，所述安装衬底部件包括 表面区域；

单晶声谐振器设备，所述单晶声谐振器设备被配置成覆盖所述表面区域， 所述单晶声谐振器设备包括谐振器结构和触点结构；

图案化的焊接结构，所述图案化的焊接结构覆盖所述表面区域且配置在所 述单晶声谐振器设备和所述表面区域之间；以及

第一气隙区域，所述第一气隙区域从所述图案化的焊接结构开始设置且被 配置在所述谐振器结构和所述安装衬底部件的第一部分之间，其中，所述第一 气隙区域具有高度。