[实用新型]测试模块及半导体器件母件有效
申请号: | 201520500445.6 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN204720424U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 陈建国;贺冠中 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 模块 半导体器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种测试模块及一种半导体器件母件。
背景技术
目前,半导体器件的测试结构(test key)通常放置在半导体晶圆产品管芯之间的划片道中,是一种专门用来测试半导体器件性能的结构,通常由压焊点、导线、半导体器件组成。测试模块的导线通常是多晶硅(poly)条,如图1所示,该导线都是放置在压焊点的旁边,以连接至其他压焊点(PAD)。
然而,这样的设计会加大测试模块的宽度,导致测试模块整体的占用空间增大,从而使正品管芯的可占用空间减少,同时,产品的生产成本也会相应提高。
因此需要一种新的技术方案,可以节省测试模块的占用空间,进而降低生产成本。
实用新型内容
本实用新型正是基于上述问题,提出了一种新的技术方案,来节省测试模块的面积,进而降低生产成本。
有鉴于此,本实用新型的一方面提出了一种测试模块,用于对半导体器件进行测试,包括:压焊点;导线,设置在所述压焊点的下方,所述导线的一端连接至所述半导体器件,另一端连接至所述测试模块的其他压焊点,以供在所述其他压焊点处对所述半导体器件进行测试。
在该技术方案中,为了更好的对半导体器件进行测试,提供了一种新的测试模块,由压焊点和导线两部分构成,其中,导线要设置在其经过的压焊点的下方,这样,在半导体器件需要连接多个压焊点作为输出端时,就可以通过相邻的压焊点下方的导线连接至其他压焊点,另外,半导体器件还可以被其他测试模块可以进行测试的元件替换。比如,可以为半导体器件施加一个输入电压,检测其三个引脚的输出电流,此时,可以将半导体器件设置在相邻的两个压焊点之间,其第一引脚和第二引脚分别与两个压焊点相连,其第三引脚即可通过相邻的压焊点下方的导线连接至相邻的压焊点的另一侧的第三个压焊点,这样,就可以在三个压焊点处测量三个引脚的输出电流了。通过以上技术方案,避免了导线从压焊点的一侧经过,减小了测试模块的宽度,节省了测试模块的占用空间,节约了原材料,降低了生产成本。
在上述技术方案中,优选地,所述压焊点的数量为一个或多个。
在该技术方案中,压焊点的数量可以根据用户的需要进行设置,换句话说,测试模块的长度可以根据用户的需要而设定,压焊点的数量可以是一个也可以是多个,设置多个压焊点更利于检测具有多引脚的半导体器件。通过以上技术方案,用户可以根据实际需要和成本考量选择压焊点数量符合要求的测试模块,从而使测试模块更加多样化,更能适应不同用户的不同需求。
在上述技术方案中,优选地,还包括:衬底,所述压焊点和所述导线位于所述衬底上。
在该技术方案中,该测试模块还包括衬底,测试模块的压焊点和导线都设置在衬底上。
在上述技术方案中,优选地,所述测试模块设置在所述半导体器件一侧的划片道上,所述划片道的宽度大于或等于所述压焊点的宽度。
在该技术方案中,半导体器件之间具有专门放置测试模块等产品的划片道,在将导线设置在压焊点下方后,在的基础上,划片道的宽度已经大大减小,为了节省材料,降低生产成本,划片道的宽度只要其稍微大于压焊点的宽度即可。通过以上技术方案,节省了划片道占用的空间,在保证划片道的正常作用下,又能节省材料,降低了生产成本,提升了半导体器件的生产效率。
在上述技术方案中,优选地,还包括:隔离层,设置在所述衬底上,并覆盖所述导线,所述压焊点设置在所述隔离层上,所述隔离层用于分隔所述压焊点与所述导线。
在该技术方案中,在衬底的上方、压焊点的下方设置有隔离层,隔离层可以将导线全部覆盖住,进而将压焊点和导线隔离开来。通过以上技术方案,既能够起到固定并保护导线的效果,防止导线因为外界原因磨损或折断,同时还能防止压焊点因与导线接触过多造成检测结果不准确甚至短路的状况出现。
在上述技术方案中,优选地,所述隔离层的宽度小于或等于所述压焊点的宽度。
在该技术方案中,隔离层的宽度应当小于或等于压焊点的宽度,具体来说,在保证压焊点稳固放置的基础上,隔离层的宽度要在保证能够将导线塑封在内部的同时尽可能小。通过以上技术方案,尽可能减小了隔离层的宽度,节省了隔离层的材料,降低了生产成本。
在上述技术方案中,优选地,所述隔离层的材质为二氧化硅。
在该技术方案中,隔离层的材料可以是二氧化硅,当然,也可以是根据需要除此之外的其他材料。其中,二氧化硅具有良好的绝缘效果,并且其生产简单,成本较低,将其作为隔离层的材料,不但能取得好的隔离效果,还能降低生产成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造