[实用新型]AMOLED显示面板有效
申请号: | 201520459830.0 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN205004335U | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 郑武;陈天佑;胡君文;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 516006 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示 面板 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示器件技术领域,特别是涉及一种AMOLED显示面板。
背景技术
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,有源矩阵有机发光二极管)显示面板相比于以往的液晶显示器来说,具有响应速度快、无需背光灯、对比度更高、整体结构轻薄、视角广阔以及柔性等优点,具有更为广阔的应用前景。
随着技术的发展,消费者更加注重显示面板的外观设计以及显示区域在整个显示面板中所占的比例,拥有窄边框的显示面板更易得到消费者的青睐。如何使得边框窄化,是AMOLED显示面板结构设计中的一个问题。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种AMOLED显示面板,应用本方案,保持同样的电气性能的条件下,能够使显示面板的边框更为窄化。
一种AMOLED显示面板,包括:基板,盖板,以及所述基板和所述盖板间隙之间的像素电路、GOA电路、玻璃胶以及地线布局区域;
所述像素电路设置在所述基板和所述盖板间隙的中部;所述GOA电路设置在所述像素电路的边缘;所述地线布局区域环绕在所述GOA电路的周围;所述玻璃胶覆盖所述地线布局区域,且粘接所述基板和所述盖板;
所述地线布局区域至少包括多层并联的金属层,以及所述多层并联的金属层之间的绝缘层;所述多层并联的金属层在并联连接点处通过通孔相接。
在一个实施例中,所述地线布局区域包括第一至第三金属层,第一与第二金属层之间的第一绝缘层,第二与第三金属层之间的第二绝缘层;
在并联连接点处,所述第三金属层通过通孔连接所述第一金属层和所述第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层不直接相连接。
在一个实施例中,所述地线布局区域包括第一至第四金属层,第一与第二金属层之间的第一绝缘层,第二与第三金属层之间的第二绝缘层,第三与第四金属层之间的第三绝缘层和平坦层;
在并联连接点处,第三金属层通过通孔连接第一金属层、第二金属层和第四金属层,第一、第二、第四金属层之间不直接相连接。
在一个实施例中,所述地线布局区域包括第一金属层和第二金属层,第一金属层和第二金属层之间的第一、第二绝缘层,第二金属层之上的第三绝缘层和平坦层;在并联连接点处,第一金属层和第二金属层通过通孔相连接。
上述AMOLED显示面板,地线布局区域采用多层并联的金属层,由于并联电阻小于其中任一电阻,故在保持电气特性(包括电阻)不变的条件下,金属层所需的横截面积就更小,也就相比传统技术,使得显示面板的边框更为窄化。
附图说明
图1A为一个实施例中的AMOLED显示面板的俯视示意图;
图1B为一个实施例中的AMOLED显示面板的部分侧面剖视图;
图2A为一个实施例中包含三层金属层的地线布局区域在并联连接点处的侧面剖视图;
图2B为一个实施例中包含三层金属层的地线布局区域在非并联连接点处的侧面剖视图;
图3A为一个实施例中包含四层金属层的地线布局区域在并联连接点处的侧面剖视图;
图3B为一个实施例中包含四层金属层的地线布局区域在非并联连接点处的侧面剖视图;
图4为一个实施例中包含两层金属层的地线布局区域在并联连接点处的侧面剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
参见图1A和图1B,在一个实施例中提供了一种AMOLED显示面板,包括:基板101,盖板102,以及基板101和盖板102间隙之间的像素电路103、GOA(GateDriverOnArray)电路104、玻璃胶(fritplastic)105以及地线(ELVSS)布局区域106。其中,基板101和盖板102可以是玻璃材质,盖板102透明。像素电路103设置在基板101和盖板102间隙的中部。GOA电路104设置在像素电路103的边缘。地线布局区域106环绕在GOA电路104的周围。玻璃胶105覆盖地线布局区域106,且粘接基板101和盖板102,用于封闭显示面板。本实施例中,地线布局区域106至少包括多层并联的金属层,以及多层并联的金属层之间的绝缘层。多层并联的金属层在并联连接点处通过通孔相接,通孔可以由刻蚀绝缘层等方式得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的