[实用新型]一种应用于新型单反相机的内置CMOS集成传感器有效
申请号: | 201520459781.0 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN205069640U | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 陈涛 | 申请(专利权)人: | 陈涛 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 新型 单反相机 内置 cmos 集成 传感器 | ||
本实用新型涉及摄影行业领域,具体的说是一种应用于新型单反相机的内置CMOS集成传感器。
背景技术
目前,在摄影行业中,对相像素的要求越来越高,普通相机内的摄影原件已不能满足现有的技术要求,存在着很多问题。申请号:201210333161.3的中国专利文献报道了一种CMOS图像传感器,本发明提供一种CMOS图像传感器,至少包括半导体衬底及位于所述半导体衬底中的多个像素单元,其中,各该像素单元至少包括第一感光器件、第二感光器件、像素读出电路、及隔离结构。相较于现有的CMOS图像传感器而言,本发明在传统的CMOS图像传感器中增加的第二感光器件,使本发明的感光器件的输出响应曲线为非线性,对应同样的输出电压摆幅而言,增大了CMOS图像传感器可以感知光的最大范围,即照明水平的最大值,从而提高了图像传感器的动态范围;同时本发明保持现有的CMOS图像传感器的像素读出电路的连接方式,保证了CMOS图像传感器的捕获图像质量。本新型结构含有上述专利有的优点,但是它不能满足高清摄像的要求,所以我设计了一种应用于新型单反相机的内置CMOS集成传感器。
发明内容
为了解决上述存在的问题,本实用新型提供一种应用于新型单反相机的内置CMOS集成传感器。
本实用新型是通过以下技术方案实现:
一种应用于新型单反相机的内置CMOS集成传感器,包括主控制器;所述主控制器连接着CMOS图像采集模组;所述主控制器连接着GPRS模块;所述主控制器连接着延时控制器;所述延时控制器连接着闪光灯;所述主控制器连接着储存器;所述主控制器连接着信号放大电路;所述信号放大电路连接着智能红外传感器;所述主控制器连接着电源;所述主控制器连接着复位电路。
与现有的技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构紧凑,能耗损失小耗能低,能满足较高要求的摄影需求。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型所述的结构示意图;
图2是本实用新型所述的结构俯视图;
图3是本实用新型所述的结构正视图。
图中:1、主控制器,2、CMOS图像采集模组,3、GPRS模块,4、延时控制器,5、闪光灯,6、储存器,7、智能红外传感器,8、信号放大电路,9、电源,10、复位电路。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述:
如图1、图2、图3所示,一种应用于新型单反相机的内置CMOS集成传感器,包括主控制器1;所述主控制器1连接着CMOS图像采集模组2;所述主控制器1连接着GPRS模块3;所述主控制器1连接着延时控制器4;所述延时控制器4连接着闪光灯5;所述主控制器1连接着储存器6;所述主控制器1连接着信号放大电路8;所述信号放大电路8连接着智能红外传感器7;所述主控制器1连接着电源9;所述主控制器1连接着复位电路10。
所述新型单反相机的内置CMOS集成传感器安装有主控制器,所述主控制器连接着CMOS图像采集模组、GPRS模块、延时控制器、储存器、信号放大电路、电源和复位电路,所述延时控制器连接着闪光灯,所述信号放大电路连接着红外传感器,影像通过CMOS图像采集模组进行采集传输到主控制器,处理后储存到所述的储存器,延时控制器可控制闪光辅助CMOS图像采集模组完成图像采集,所述红外传感器可调整焦距,辅助完成图像采集。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的