[实用新型]一种新型高速半导体激光器有效
| 申请号： | 201520452830.8 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN204947319U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 罗飚;刘应军;王任凡;汤宝 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高速 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型高速半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括：
外延片的脊波导结构；
在所述脊波导结构上，生长有SiO2绝缘层，所述SiO2薄膜的厚度为2-3um；
在所述SiO2薄膜上存在光刻电极柱图形，其中，光刻的窗口宽度为1.5-2.5um；
在所述光刻的窗口内设置有电极柱接口；
所述激光器还包括P面电极和N面电极。
2.根据权利要求1所述的新型高速半导体激光器，其特征在于，所述制作外延片由磷化铟InP材料制作。
3.根据权利要求1所述的新型高速半导体激光器，其特征在于，所述外延片的脊波导结构，具体包括：脊宽设置为1.8-2.2um。
4.根据权利要求1所述的新型高速半导体激光器，其特征在于，所述P面电极中电极材料和厚度对应关系分别为：Ti-50nm，Pt-80nm，Au-200nm。
5.根据权利要求1所述的新型高速半导体激光器，其特征在于，所述N面电极，具体包括：
由外延片背面减薄为100μm，作为N面电极，电极材料及厚度对应关系分别为:Ti-50nm，Pt-80nm，Au-100nm。
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