[实用新型]半导体器件的结构

说明书

技术领域

本实用新型一般涉及电子设备，并且更具体地涉及半导体、其结构、及其形成半导体器件的方法。

背景技术

过去，半导体工业利用各种方法和结构形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管和其它器件。器件的击穿电压通常是半导体器件的重要特性，以及各种技术被利用以提供改善的击穿电压。帮助击穿电压的一种结构被称为减小表面电场(RESURF)层。一个问题是这些器件通常需要多个围绕RESURF层的注入区或者掺杂区。另一个问题是各种区的掺杂浓度通常必须改变以便提供不同的击穿电压。然而，改变掺杂浓度也影响器件的其它参数。

因此，具有以下方法和结构是合乎需要的：其改善击穿电压、帮助改变击穿电压而不改变掺杂浓度、减少形成器件所需掺杂操作的数量、在一个衬底上促进形成不同击穿电压的多个器件、和/或降低器件的成本。

实用新型内容

本实用新型提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一半导体区，形成为位于所述半导体衬底上的掺杂区；漂移区，形成为在所述第一半导体区内并位于所述半导体衬底上的第一导电类型的第一掺杂区，所述漂移区具有第一掺杂浓度；第一漏极区，在所述漂移区内形成为所述第一导电类型的第二掺杂区，所述第一漏极区具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；在所述第一漏极区内的所述第一导电类型的第二漏极区，所述第二漏极区具有大于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓 度；在所述第一半导体区中的第二导电类型的体区，横向地间隔远离所述漂移区；在所述体区中的所述第一导电类型的源极区；以及第二导电类型的埋置区，所述埋置区位于所述源极区、所述体区的至少一部分以及所述漂移区的至少一部分之下，但不位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之下。

本实用新型还提供了一种半导体器件，包括：位于块状半导体衬底上的半导体区；在所述半导体区中的第一导电类型的埋置区；在所述半导体区中并位于所述埋置区的第一部分上的所述第一导电类型的体区；在所述半导体区中并被间隔远离所述体区的第二导电类型的漂移区，包括形成所述漂移区的至少一部分位于所述埋置区的第二部分上；以及在所述漂移区中的所述第二导电类型的第一漏极区，其中所述第一漏极区没有位于所述埋置区上。

本实用新型还提供了一种半导体器件，包括：位于块状半导体衬底上的半导体区；在所述半导体区中的第一导电类型的埋置区；在所述半导体区中的第二导电类型的漂移区，所述漂移区的至少一部分位于所述埋置区的第一部分上；以及在所述漂移区中的所述第二导电类型的第一漏极区，其中所述第一漏极区没有位于所述埋置区上。

根据本实用新型的一方面，所述半导体器件没有位于所述埋置区之下以及物理地和电气地接触所述埋置区的另一个掺杂区。

根据本实用新型的一方面，其中所述半导体区包括在所述半导体区的表面上并延伸到所述半导体区中第一距离的场绝缘体，以及其中所述第一漏极区在所述场绝缘体的开口中并延伸到所述半导体区中不大于所述第一距离。

根据本实用新型的一方面的半导体器件，进一步包括在所述第一漏极区中的第二漏极区，其中所述第二漏极区没有位于所述埋置区上。

根据本实用新型的一方面，进一步包括所述第一漏极区延伸到所述半导体区中以下距离，所述距离不大于邻近所述第一漏极区形成的场绝缘体的深度。

附图说明

图1示出根据本实用新型的形成为具有改善的击穿电压的半导体器件的实施例的示例的一部分的放大平面图；

图2示出根据本实用新型的图1的器件的放大横截面部分；

图3-图5示出根据本实用新型的形成图1和图2的器件的方法的实施例的示例的各种阶段；以及

图6示出根据本实用新型的图1和图2的器件的可替代实施例的半导体器件的实施例的示例的放大横截面部分。